¿Cómo cambia el efecto del cuerpo la corriente de drenaje en un MOSFET?
El efecto del cuerpo entra en juego cuando los potenciales del cuerpo y de la fuente del mosfet son desiguales, es decir, que el cuerpo no está vinculado a la fuente. esto provoca una modificación del voltaje umbral del mosfet y afecta la corriente de drenaje de las siguientes maneras: –
punto de funcionamiento continuo: un [math] positivo v_{sb} [/math] aumentará el umbral Si el voltaje y todos los demás factores permanecen iguales, la corriente de drenaje disminuirá.
Señal pequeña: aparece un nuevo término de transconductancia en el modelo de señal pequeña, a saber, [math] g_ {mb} [/ math] y [math] g_{mb} v_{bs} [/ math] es su contribución a que la señal pequeña drene la corriente.
Por supuesto, esta es sólo una explicación muy breve. Te animo a consultar algún manual si quieres saber más y obtener información.
afectando la tensión umbral. Dependiendo de la polaridad de polarización del cuerpo con respecto a la fuente, el efecto puede ser un aumento o disminución del voltaje umbral. por lo tanto, también afecta indirectamente a la corriente de drenaje. bájelo o súbalo.
Mientras que antes se consideraba un efecto perjudicial, los diseñadores de circuitos integrados suelen utilizar el efecto en el cuerpo. Se utiliza un voltaje de umbral creciente para reducir las fugas por debajo del umbral, lo que supone una pérdida de energía significativa en sistemas grandes en chips (Socs). Se utiliza un voltaje umbral decreciente para acelerar los circuitos lógicos de bajo voltaje cuando el voltaje umbral está en el rango de voltaje operativo. Estos dos usos se pueden aplicar simultáneamente en el mismo circuito integrado modulando la polarización local del cuerpo.
En pocas palabras, aquí está el mecanismo subyacente. La presencia de una capa de inversión conductora de corriente en un transistor mos de tipo mejorado depende del potencial de superficie en el extremo fuente del transistor. Aquí están la región fuente, el óxido de puerta y la masa (región del cuerpo). Si bien la gente tiende a centrarse en el voltaje de la red a la fuente cuando se analiza la generación de la capa de inversión, está claro que el potencial de las tres regiones afectará el potencial en esta etapa. Para simplificar, los dos voltajes se separan en vgs y vbs (fuente-puerta, fuente-cuerpo) y se tratan como variables de control. A veces se puede leer el término polarización de puerta trasera, que se refiere al voltaje del cuerpo fuente. Conceptualmente, puedes imaginar dos dispositivos en paralelo, uno controlado por el voltaje de la fuente de la puerta y el otro por el voltaje de la fuente del cuerpo (puerta trasera).
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