I JFET (transistor a effetto di campo a giunzione) sono indicati come dispositivi di controllo della tensione perché la loro conduttività tra i terminali source e drain è controllata principalmente dalla tensione applicata al terminale gate rispetto alla source. A differenza dei transistor a giunzione bipolare (BJT), che sono dispositivi controllati dalla corrente, i JFET funzionano in base al campo elettrico generato dalla tensione gate-source. Variando questa tensione gate-source, è possibile modulare la larghezza del canale conduttivo tra source e drain, controllando così il flusso di corrente attraverso il transistor. Questo comportamento dipendente dalla tensione consente ai JFET di funzionare come resistori variabili, amplificatori e interruttori nei circuiti elettronici in cui il controllo preciso della tensione è fondamentale per le prestazioni.
Un dispositivo controllato in tensione, in generale, è qualsiasi componente o dispositivo elettronico le cui caratteristiche elettriche, come conduttività o impedenza, sono controllate principalmente dalla tensione ad esso applicata. Nel caso dei JFET, la tensione gate-source influenza direttamente la conduttività del canale, rendendolo un classico esempio di dispositivo controllato in tensione. Questa caratteristica rende i JFET adatti per applicazioni in cui i segnali di tensione devono essere amplificati, modulati o commutati con elevata precisione e distorsione minima.
Il controllo della tensione di un JFET si riferisce alla capacità di regolare il flusso di corrente attraverso il dispositivo regolando la tensione gate-source. Quando una tensione positiva viene applicata al gate rispetto alla sorgente in un JFET a canale N (o una tensione negativa in un JFET a canale P), crea un campo elettrico che impoverisce o migliora il canale conduttivo tra sorgente e drain. Questa modulazione della conduttività del canale consente un controllo preciso sulla quantità di corrente che scorre attraverso il transistor, rendendolo un componente versatile nei circuiti elettronici che richiedono operazioni controllate in tensione.
I FET (transistor a effetto di campo), inclusi JFET e MOSFET (FET a semiconduttore a ossido di metallo), sono spesso definiti dispositivi unipolari controllati in tensione perché il loro funzionamento è controllato prevalentemente da segnali di tensione e comporta il movimento di prevalentemente un tipo di carica portatore (elettroni o lacune). A differenza dei BJT, che sono dispositivi bipolari che coinvolgono sia elettroni che lacune nella loro conduzione di corrente, i FET si basano sul campo elettrico generato dalla tensione gate-source per controllare il flusso di elettroni (nei FET a canale N) o di lacune (nei FET a canale N). FET a canale P). Questo comportamento unipolare ne semplifica il funzionamento e li rende efficienti per applicazioni di amplificazione e commutazione di tensione.
I FET sono comunemente usati come amplificatori di tensione grazie alla loro capacità di amplificare con precisione piccole variazioni nei segnali di tensione in ingresso. Nei circuiti di amplificazione, una piccola tensione di ingresso applicata al gate di un FET può controllare una corrente di uscita maggiore che fluisce dalla sorgente al drain. Questa capacità di amplificazione della tensione deriva dalla capacità del FET di controllare la conduttanza del canale in base alla tensione gate-source, garantendo che i segnali di ingresso siano riprodotti fedelmente ad ampiezze più elevate senza distorsioni significative. Di conseguenza, i FET sono ampiamente utilizzati negli amplificatori audio, nei circuiti di elaborazione del segnale e nei sistemi di comunicazione in cui un’amplificazione precisa della tensione è essenziale per mantenere l’integrità e la fedeltà del segnale.