Un transistor à effet de champ (FET) est un type de transistor qui utilise un champ électrique pour contrôler la conductivité d’un canal dans un matériau semi-conducteur. Il fonctionne sur la base du principe de modulation de la tension appliquée à une borne de grille, ce qui modifie à son tour la conductivité entre les bornes source et drain. Cela permet aux FET d’agir comme des amplificateurs ou des commutateurs dans les circuits électroniques, offrant une impédance d’entrée élevée et une impédance de sortie faible par rapport à d’autres types de transistors comme les BJT.
Le terme « FET » fait référence à une catégorie de transistors caractérisés par leur mode de fonctionnement impliquant un champ électrique (« effet de champ ») pour contrôler le flux de courant. Cela les distingue des transistors à jonction bipolaire (BJT), qui reposent sur le mouvement de porteurs de charge (électrons et trous) à travers un matériau semi-conducteur.
Les FET fonctionnent en appliquant une tension à la borne de grille, ce qui crée un champ électrique à travers une fine couche semi-conductrice (généralement du silicium). Ce champ électrique contrôle la conductivité du canal entre les bornes source et drain. Selon le type de FET (tels que les MOSFET ou les JFET), le canal peut être amélioré ou dépourvu de porteurs de charge, permettant ainsi au courant de circuler ou l’empêchant, respectivement.
Le nom « FET » reflète le principe de fonctionnement fondamental de ces transistors : le contrôle du flux de courant à travers un champ électrique. Contrairement aux BJT, qui contrôlent le courant via l’injection de porteurs de charge, les FET utilisent l’effet de champ pour obtenir des fonctionnalités similaires avec des caractéristiques de performances distinctes. Cette convention de dénomination souligne le mécanisme unique par lequel les FET fonctionnent par rapport aux autres types de transistors.