« Tension de pincement » désigne généralement la tension à laquelle un phénomène appelé « pincement » se produit dans certains appareils électroniques, notamment dans les transistors à effet de champ (FET) tels que les JFET (Junction Field-Effect Transistors). Il s’agit de la tension à laquelle le canal entre les bornes source et drain du FET est complètement rétréci, entraînant une réduction significative du flux de courant à travers le dispositif. Cette constriction du canal coupe ou limite considérablement le courant traversant le transistor, en fonction de la tension appliquée.
Le terme « tension de pincement » fait spécifiquement référence à la tension de seuil à laquelle le canal d’un FET commence à se fermer ou à se pincer, réduisant ainsi le flux de courant entre les bornes de source et de drain. Dans un JFET, par exemple, cela se produit lorsque la tension grille-source (V_GS) atteint une valeur critique qui provoque une expansion suffisante de la région d’appauvrissement, coupant ainsi le flux de courant entre la source et le drain. La tension de pincement est un paramètre crucial dans le fonctionnement du FET, déterminant la capacité du transistor à réguler le flux de courant et à agir comme un interrupteur ou un amplificateur.
Le calcul de la tension de pincement implique de comprendre les caractéristiques spécifiques du FET analysé, telles que les niveaux de dopage du matériau semi-conducteur et les dimensions de la structure du transistor. Pour un JFET, la tension de pincement (V_P) peut être estimée ou mesurée expérimentalement dans des conditions contrôlées dans lesquelles la tension drain-source (V_DS) est progressivement augmentée tout en surveillant le courant traversant le dispositif. La tension de pincement correspond généralement à la tension grille-source (V_GS) à laquelle le courant traversant le FET se réduit à une petite valeur spécifiée, souvent de l’ordre du microampère.
Dans le contexte d’un JFET, VP fait référence à la tension de pincement, qui est la tension grille-source à laquelle le courant traversant le transistor réduit à une valeur très faible, pinçant efficacement le canal. Cette tension est un paramètre critique dans le fonctionnement du JFET, déterminant sa capacité à contrôler le flux de courant et à fonctionner comme une résistance ou un commutateur contrôlé en tension dans les circuits électroniques.
La principale différence entre la tension de seuil et la tension de pincement réside dans leurs rôles respectifs dans différents types de transistors. La tension de seuil fait généralement référence à la tension à laquelle un MOSFET (transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) commence à conduire un courant important entre ses bornes source et drain. Il s’agit d’un paramètre clé dans les MOSFET, indiquant la tension grille-source requise pour induire un canal et démarrer la conduction du courant. En revanche, la tension de pincement s’applique spécifiquement aux JFET et indique la tension grille-source à laquelle le canal entre la source et le drain est complètement rétréci, réduisant considérablement, voire arrêtant complètement le flux de courant. Bien que les deux paramètres soient critiques pour le fonctionnement du transistor, ils répondent à des objectifs différents et sont caractéristiques des principes de fonctionnement du type de transistor spécifique.
