Les transistors à effet de champ (FET) sont classés comme dispositifs unipolaires plutôt que comme dispositifs bipolaires. Cette distinction découle du mécanisme de conduction du courant dans les FET, qui implique principalement le mouvement d’un type de porteurs de charge, soit des électrons (dans les FET à canal N), soit des trous (dans les FET à canal P). Dans les FET, le flux de courant entre les bornes source et drain est contrôlé par le champ électrique généré par la tension appliquée à la borne de grille par rapport à la source. Cette conductivité contrôlée en tension rend les FET efficaces pour les applications nécessitant une amplification de tension précise, une commutation ou une résistance variable.
Contrairement aux transistors à jonction bipolaire (BJT), qui sont des dispositifs bipolaires impliquant à la fois des électrons et des trous dans leur mécanisme de conduction de courant, les FET fonctionnent sur la base du mouvement d’un type prédominant de porteurs de charge. Ce comportement unipolaire simplifie leur conception et leur fonctionnement, les rendant adaptés aux applications haute fréquence et réduisant la complexité associée au contrôle simultané des deux types de porteurs de charge.
Un FET n’est pas considéré comme un transistor bipolaire. Le terme « transistor bipolaire » fait spécifiquement référence aux BJT, où la conduction du courant implique le mouvement des électrons et des trous à travers les jonctions du transistor. En revanche, les FET fonctionnent sur le principe du contrôle par effet de champ sur les porteurs de charge, les distinguant comme des dispositifs unipolaires offrant des avantages en termes de vitesse, d’efficacité énergétique et de performances en matière de bruit dans les circuits électroniques.
Un transistor à jonction unipolaire n’est pas un terme standard en physique ou en électronique des semi-conducteurs. Cependant, si l’on se réfère aux FET, ils sont effectivement considérés comme des dispositifs unipolaires en raison de leur dépendance au mouvement d’un type de porteurs de charge (électrons ou trous) pour la conduction du courant. Cette caractéristique unipolaire est fondamentale pour leur fonctionnement et les distingue des transistors à jonction bipolaire (BJT), qui impliquent le mouvement des électrons et des trous dans leur mécanisme de conduction du courant.
Les transistors à effet de champ à jonction (JFET) sont spécifiquement classés comme dispositifs unipolaires. Dans les JFET, le flux de courant entre les bornes source et drain est contrôlé principalement par la tension appliquée à la borne de grille par rapport à la source. Ce comportement contrôlé en tension affecte la largeur du canal conducteur dans le matériau semi-conducteur, régulant le flux de courant soit des électrons (dans les JFET à canal N), soit des trous (dans les JFET à canal P). Ce fonctionnement unipolaire rend les JFET adaptés aux applications nécessitant un contrôle précis de la tension et une impédance d’entrée élevée, comme dans les amplificateurs et les commutateurs analogiques.
Les JFET ne sont pas classés comme appareils bipolaires. Les dispositifs bipolaires, tels que les BJT, fonctionnent selon le principe selon lequel les électrons et les trous contribuent à la conduction du courant à travers leurs jonctions. En revanche, les JFET reposent uniquement sur le mouvement d’un type de porteurs de charge (électrons ou trous) contrôlé par la tension grille-source. Cette caractéristique unipolaire distingue les JFET des dispositifs bipolaires et souligne leurs avantages uniques dans certaines applications électroniques où une impédance d’entrée élevée et un fonctionnement contrôlé en tension sont essentiels.
