Guide électronique : Diode, Condensateur, Plateforme Arduino et Magasin d’électronique
Les JFET (Junction Field-Effect Transistors) sont conçus pour fonctionner en mode polarisation inverse pour des performances optimales. Dans un JFET, le canal entre la source et le drain est contrôlé par la tension appliquée à la borne de grille par rapport à la borne source. Lorsqu’une tension négative (polarisation inverse) est appliquée à la grille … Lire la suite
Différence entre MOSFET à enhancement et à depletion Les MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) sont des composants essentiels dans l’électronique moderne, utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques. Il existe deux principaux types de MOSFET : les MOSFET à enhancement et les MOSFET à depletion. Bien que ces deux types de transistors aient des caractéristiques … Lire la suite
Les rayons cathodiques et les rayons X sont tous deux des types de rayonnement électromagnétique, mais ils diffèrent considérablement par leurs propriétés et leurs origines. Les rayons cathodiques sont des flux d’électrons émis par la cathode (électrode négative) d’un tube à vide sous haute tension. Ils sont utilisés dans les tubes cathodiques (CRT) pour afficher … Lire la suite
Les JFET (Junction Field-Effect Transistors) trouvent diverses applications en électronique en raison de leurs caractéristiques spécifiques. L’une des principales utilisations des JFET concerne les circuits d’amplification, en particulier dans les applications à faible bruit où une impédance d’entrée élevée est essentielle. Leur capacité à fournir une impédance d’entrée élevée les rend adaptés à la mise … Lire la suite
La résistance d’une bobine 24 V standard peut varier en fonction du type et de la conception de la bobine, mais elle varie généralement de quelques ohms à plusieurs dizaines d’ohms. Cette résistance est conçue pour limiter le courant circulant dans la bobine lorsque 24 volts sont appliqués. Il garantit que la bobine fonctionne dans … Lire la suite
La principale différence entre le BJT (Bipolar Junction Transistor) et le FET (Field-Effect Transistor) réside dans leurs principes de fonctionnement fondamentaux et leur construction. Les BJT contrôlent le flux de courant à travers l’injection et la diffusion de porteurs de charge (électrons et trous) entre leurs bornes émetteur, base et collecteur. Ils sont classés en … Lire la suite
Les FET (Field-Effect Transistors) offrent plusieurs avantages par rapport aux BJT (Bipolar Junction Transistors), ce qui les rend préférables dans certaines applications. Un avantage significatif est leur impédance d’entrée élevée, ce qui signifie qu’ils consomment très peu de courant des circuits de commande. Cette propriété réduit les effets de charge et permet aux FET de … Lire la suite
Un transistor NPN est couramment utilisé à des fins d’amplification et de commutation dans les circuits électroniques. Sa fonction principale est d’amplifier les signaux faibles ou d’agir comme un interrupteur en contrôlant le flux de courant entre ses bornes collecteur et émetteur. Dans un transistor NPN, le courant circule du collecteur vers l’émetteur lorsqu’un faible … Lire la suite
Lorsqu’une résistance est court-circuitée, cela signifie qu’il existe un chemin direct de faible résistance entre ses bornes, contournant les éléments du circuit prévus. Il en résulte une augmentation significative du flux de courant à travers la résistance, limitée uniquement par la résistance interne de la source d’alimentation et la résistance du câblage. Cela peut entraîner … Lire la suite
Le courant de coupure de court-circuit dans un disjoncteur fait référence au courant maximum que le disjoncteur peut interrompre ou déconnecter en toute sécurité lors d’un défaut de court-circuit. Ce défaut se produit lorsqu’il y a une connexion directe involontaire (court-circuit) entre deux points de potentiel électrique différent, provoquant une brusque surtension. Les disjoncteurs sont … Lire la suite