El estado de saturación en un transistor ocurre cuando tanto la unión base-emisor como la unión base-colector están polarizadas directamente. En este estado, el transistor permite que fluya la máxima corriente desde el colector al emisor, actuando como un interruptor cerrado. La caída de voltaje a través de la unión colector-emisor es mínima, típicamente alrededor de 0,2 voltios para los transistores de silicio. Este estado es esencial para aplicaciones de conmutación en las que se utiliza el transistor para pasar grandes corrientes con una resistencia mínima.
El estado de corte en un transistor ocurre cuando tanto la unión base-emisor como la unión base-colector están polarizadas en inversa. En este estado, el transistor no conduce una corriente significativa entre el colector y el emisor, actuando esencialmente como un interruptor abierto. La corriente a través del colector es mínima y el voltaje a través de la unión colector-emisor está cerca del voltaje de suministro. Este estado es crucial para cambiar aplicaciones para garantizar que no fluya corriente cuando se pretende que el transistor esté apagado.
La corriente de saturación en un transistor se refiere a la corriente máxima que puede fluir a través del transistor cuando está en estado de saturación. Esta corriente está determinada principalmente por la corriente base y la ganancia de corriente (beta) del transistor. Cuando el transistor está saturado, aumentar la corriente de base no aumenta significativamente la corriente del colector, ya que el transistor ya permite que la corriente máxima fluya desde el colector al emisor. La corriente de saturación es un parámetro importante en el diseño de circuitos que requieren transistores para funcionar como interruptores.
El estado de saturación de un transistor de unión bipolar (BJT) es una condición en la que el transistor está completamente encendido, con las uniones base-emisor y base-colector polarizadas directamente. En este estado, el BJT permite que la corriente máxima fluya desde el colector al emisor, similar a un interruptor cerrado. El voltaje colector-emisor es muy bajo y se dice que el BJT está en un estado de «saturación total». Este estado es esencial para aplicaciones de conmutación donde se utiliza el BJT para controlar grandes corrientes con una caída de voltaje y disipación de potencia mínimas.
En un MOSFET, las regiones de corte, saturación y activa se refieren a diferentes estados operativos. En la región de corte, el voltaje de puerta a fuente está por debajo del voltaje umbral y el MOSFET está apagado, sin que fluya corriente desde el drenaje a la fuente. En la región de saturación (a menudo llamada región activa para los MOSFET), el voltaje de puerta a fuente está por encima del voltaje umbral y la corriente de drenaje es relativamente constante e independiente del voltaje de drenaje a fuente, controlada principalmente por la puerta. -Tensión de fuente. La región activa en un MOSFET se usa típicamente para aplicaciones analógicas donde el MOSFET opera como una fuente de corriente controlada. Por el contrario, la región de saturación en los BJT se utiliza para aplicaciones de conmutación.
En telecomunicaciones, especialmente en el contexto de redes móviles, un Nodo B se refiere a la estación transceptora base (BTS)…