Die Konfigurationen CB (Common Base) und CE (Common Emitter) beziehen sich auf unterschiedliche Arten der Verbindung eines Bipolartransistors (BJT) in einer Schaltung, die jeweils unterschiedliche Eigenschaften und Anwendungen bieten. Bei einem NPN-BJT umfasst die CB-Konfiguration den Anschluss der Basis an eine gemeinsame Signalquelle, des Kollektors an die Stromversorgung und des Emitters an die Last. Diese Konfiguration bietet eine hohe Eingangsimpedanz und Stromverstärkung und eignet sich daher für Impedanzanpassung und Hochfrequenzanwendungen. Die CE-Konfiguration hingegen verbindet den Emitter mit Masse, die Basis mit dem Eingangssignal und den Kollektor mit der Ausgangslast. Diese Konfiguration sorgt für Spannungsverstärkung und Stromverstärkung und wird daher häufig in Spannungsverstärkern und Signalverarbeitungsschaltungen verwendet.
Die CB-, CC- (Common Collector) und CE-Konfigurationen sind unterschiedliche Möglichkeiten, die Verbindungen eines Bipolar-Junction-Transistors (BJT) in einem Schaltkreis anzuordnen, jede mit einzigartigen Eigenschaften und Anwendungen. In einer CB-Konfiguration ist die Basis mit einer gemeinsamen Signalquelle verbunden, der Kollektor ist mit der Stromversorgung verbunden und der Emitter ist mit der Last verbunden. Dieser Aufbau bietet eine hohe Eingangsimpedanz und eine niedrige Ausgangsimpedanz und eignet sich daher für Impedanzanpassung und Hochfrequenzanwendungen. In einer CC-Konfiguration ist der Kollektor mit einer gemeinsamen Signalquelle verbunden, der Emitter ist geerdet und die Basis ist mit dem Eingangssignal verbunden. CC-Konfigurationen bieten eine hohe Spannungsverstärkung und Stromverstärkung, was sie für Anwendungen zur Impedanzpufferung und Signalimpedanztransformation nützlich macht. In einer CE-Konfiguration ist der Emitter geerdet, die Basis ist mit dem Eingangssignal verbunden und der Kollektor ist mit der Ausgangslast verbunden. Diese Konfiguration bietet eine hohe Spannungsverstärkung und Stromverstärkung und wird daher häufig in Spannungsverstärkern und Signalverarbeitungsschaltungen verwendet.
Die Konfigurationen mit gemeinsamem Emitter (CE) und gemeinsamem Kollektor (CC) eines Bipolartransistors (BJT) unterscheiden sich hauptsächlich in ihren Eingangs- und Ausgangseigenschaften. In einer CE-Konfiguration ist der Emitter geerdet, das Eingangssignal wird an die Basis angelegt und der Ausgang wird vom Kollektor abgenommen. Diese Anordnung bietet sowohl Spannungs- als auch Stromverstärkung und eignet sich daher für Spannungsverstärkungsanwendungen. Im Gegensatz dazu ist bei einer CC-Konfiguration der Emitter geerdet, das Eingangssignal an der Basis angelegt und der Ausgang vom Emitter abgenommen. CC-Konfigurationen bieten eine hohe Stromverstärkung, aber eine Spannungsverstärkung von eins (oder etwas weniger als eins), was sie für Impedanzanpassungs- und Pufferungsanwendungen nützlich macht, bei denen keine Spannungsverstärkung, aber eine Stromverstärkung erforderlich ist.
Die CE- (Common Emitter) und CB- (Common Base) Konfigurationen eines Bipolartransistors (BJT) unterscheiden sich hauptsächlich in ihren Eingangs- und Ausgangsimpedanzen, Spannungsverstärkung und Stromverstärkungseigenschaften. Bei einer CE-Verstärkerkonfiguration ist der Emitter geerdet, das Eingangssignal wird an die Basis angelegt und der Ausgang wird vom Kollektor abgenommen. CE-Verstärker bieten eine hohe Spannungsverstärkung und Stromverstärkung, wodurch sie für Spannungsverstärkungsanwendungen geeignet sind. Sie haben typischerweise eine mittlere Eingangsimpedanz und eine hohe Ausgangsimpedanz. Im Gegensatz dazu ist bei einer CB-Verstärkerkonfiguration die Basis mit einer gemeinsamen Signalquelle verbunden, der Emitter mit der Last und der Kollektor mit der Stromversorgung. CB-Verstärker bieten eine hohe Eingangsimpedanz und eine niedrige Ausgangsimpedanz und eignen sich daher für Impedanzanpassung und Hochfrequenzanwendungen, bei denen geringes Rauschen und Stabilität entscheidend sind. Allerdings haben CB-Verstärker im Vergleich zu CE-Verstärkern typischerweise eine geringere Spannungsverstärkung.
Bei der CE-Konfiguration (Common Emitter) eines NPN-Transistors wird der Emitter geerdet, das Eingangssignal an die Basis angelegt und der Ausgang vom Kollektor abgenommen. Diese Konfiguration bietet sowohl Spannungsverstärkung als auch Stromverstärkung und eignet sich daher gut für Anwendungen, die eine Verstärkung von Spannungssignalen erfordern. CE-Konfigurationen werden häufig in Spannungsverstärkern, Signalverarbeitungsschaltungen und verschiedenen elektronischen Anwendungen verwendet, bei denen eine Signalverstärkung erforderlich ist. Die CE-Konfiguration bietet eine hohe Spannungsverstärkung, eine moderate Eingangsimpedanz und eine hohe Ausgangsimpedanz und ist somit vielseitig für verschiedene Schaltungsdesigns und Anforderungen in analogen Elektronik- und Kommunikationssystemen geeignet.