Les configurations CB (Common Base) et CE (Common Emitter) font référence à différentes manières de connecter un transistor à jonction bipolaire (BJT) dans un circuit, chacune offrant des caractéristiques et des applications distinctes. Dans un NPN BJT, la configuration CB implique de connecter la base à une source de signal commune, le collecteur à l’alimentation et l’émetteur à la charge. Cette configuration offre une impédance d’entrée et un gain de courant élevés, ce qui la rend adaptée à l’adaptation d’impédance et aux applications haute fréquence. La configuration CE, quant à elle, connecte l’émetteur à la masse, la base au signal d’entrée et le collecteur à la charge de sortie. Cette configuration fournit une amplification de tension et un gain de courant, ce qui la rend couramment utilisée dans les amplificateurs de tension et les circuits de traitement du signal.
Les configurations CB, CC (Common Collector) et CE sont différentes manières d’organiser les connexions d’un transistor à jonction bipolaire (BJT) dans un circuit, chacune ayant des propriétés et des applications uniques. Dans une configuration CB, la base est connectée à une source de signal commune, le collecteur est connecté à l’alimentation électrique et l’émetteur est connecté à la charge. Cette configuration offre une impédance d’entrée élevée et une impédance de sortie faible, ce qui la rend adaptée à l’adaptation d’impédance et aux applications haute fréquence. Dans une configuration CC, le collecteur est connecté à une source de signal commune, l’émetteur est mis à la terre et la base est connectée au signal d’entrée. Les configurations CC fournissent un gain de tension et un gain de courant élevés, ce qui les rend utiles dans les applications de mise en mémoire tampon d’impédance et de transformation d’impédance de signal. Dans une configuration CE, l’émetteur est mis à la terre, la base est connectée au signal d’entrée et le collecteur est connecté à la charge de sortie. Cette configuration offre un gain de tension et un gain de courant élevés, ce qui la rend couramment utilisée dans les amplificateurs de tension et les circuits de traitement du signal.
Les configurations d’émetteur commun (CE) et de collecteur commun (CC) d’un transistor à jonction bipolaire (BJT) diffèrent principalement par leurs caractéristiques d’entrée et de sortie. Dans une configuration CE, l’émetteur est mis à la terre, le signal d’entrée est appliqué à la base et la sortie est extraite du collecteur. Cet agencement fournit à la fois un gain de tension et de courant, ce qui le rend adapté aux applications d’amplification de tension. En revanche, dans une configuration CC, l’émetteur est mis à la terre, le signal d’entrée est appliqué à la base et la sortie est extraite de l’émetteur. Les configurations CC fournissent un gain de courant élevé mais un gain de tension unitaire (ou légèrement inférieur à l’unité), ce qui les rend utiles pour les applications d’adaptation d’impédance et de mise en mémoire tampon où le gain de tension n’est pas requis mais le gain de courant est nécessaire.
Les configurations CE (Common Emitter) et CB (Common Base) d’un transistor à jonction bipolaire (BJT) diffèrent principalement par leurs impédances d’entrée et de sortie, leurs caractéristiques de gain de tension et de gain de courant. Dans une configuration d’amplificateur CE, l’émetteur est mis à la terre, le signal d’entrée est appliqué à la base et la sortie est extraite du collecteur. Les amplificateurs CE offrent un gain de tension et un gain de courant élevés, ce qui les rend adaptés aux applications d’amplification de tension. Ils ont généralement une impédance d’entrée modérée et une impédance de sortie élevée. En revanche, une configuration d’amplificateur CB a la base connectée à une source de signal commune, l’émetteur connecté à la charge et le collecteur connecté à l’alimentation. Les amplificateurs CB offrent une impédance d’entrée élevée et une impédance de sortie faible, ce qui les rend adaptés à l’adaptation d’impédance et aux applications haute fréquence où un faible bruit et une stabilité sont cruciaux. Cependant, les amplificateurs CB ont généralement un gain de tension inférieur à celui des amplificateurs CE.
La configuration CE (Common Emitter) d’un transistor NPN implique la mise à la terre de l’émetteur, l’application du signal d’entrée à la base et la prise de la sortie du collecteur. Cette configuration fournit à la fois un gain de tension et un gain de courant, ce qui la rend bien adaptée aux applications nécessitant une amplification des signaux de tension. Les configurations CE sont couramment utilisées dans les amplificateurs de tension, les circuits de traitement du signal et diverses applications électroniques où l’amplification du signal est nécessaire. La configuration CE offre un gain de tension élevé, une impédance d’entrée modérée et une impédance de sortie élevée, ce qui la rend polyvalente pour différentes conceptions de circuits et exigences dans les systèmes électroniques et de communication analogiques.
Cet article couvre les aspects fondamentaux des puces informatiques, leurs fonctions et la manière dont elles sont produites. Ici, nous…