Ein Bipolar-Junction-Transistor (BJT) und ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) sind beide Arten von Transistoren, sie funktionieren jedoch nach unterschiedlichen Prinzipien und haben unterschiedliche Eigenschaften. Ein BJT ist ein stromgesteuertes Gerät, das auf der Bewegung von Ladungsträgern (Elektronen und Löchern) innerhalb eines Halbleitermaterials beruht. Es besteht aus drei Schichten Halbleitermaterial (P-N-P oder N-P-N) und steuert den Stromfluss zwischen seinen Emitter- und Kollektoranschlüssen mithilfe eines kleinen Stroms, der an den Basisanschluss angelegt wird.
Im Gegensatz dazu ist ein MOSFET ein spannungsgesteuertes Gerät, das auf der Modulation der Leitfähigkeit eines Halbleiterkanals durch ein elektrisches Feld basiert. Es verfügt über eine Gate-Elektrode, die durch eine dünne Oxidschicht (daher der Name Metall-Oxid-Halbleiter) vom Kanal getrennt ist und als Isolator fungiert. Durch Variieren der an den Gate-Anschluss angelegten Spannung kann der MOSFET den Stromfluss zwischen seinen Source- und Drain-Anschlüssen steuern. MOSFETs werden aufgrund ihrer hohen Eingangsimpedanz und ihres geringen Stromverbrauchs häufig für schnelles Schalten und Verstärken in digitalen und analogen Schaltkreisen verwendet.
Der Begriff „Transistor“ wird häufig als allgemeiner Begriff für BJTs und MOSFETs verwendet, die beiden in der Elektronik weit verbreiteten Haupttypen von Transistoren. Obwohl sowohl BJTs als auch MOSFETs Verstärkungs- und Schaltfunktionen ausführen können, unterscheiden sich ihre Funktionsprinzipien, Konstruktion und Leistungsmerkmale erheblich. BJTs sind für ihre Stromverstärkungsfähigkeiten und im Vergleich zu MOSFETs relativ geringeren Eingangsimpedanz bekannt. MOSFETs hingegen bieten eine hohe Eingangsimpedanz, einen rauscharmen Betrieb und effiziente Schalteigenschaften.
Der Hauptunterschied zwischen einem BJT und einem Feldeffekttransistor (FET), zu dem auch MOSFETs gehören, liegt in ihrer Funktionsweise. BJTs sind stromgesteuerte Geräte, bei denen der Basisstrom den Stromfluss zwischen Emitter und Kollektor steuert. FETs, einschließlich MOSFETs, sind spannungsgesteuerte Geräte, bei denen die Gate-Source-Spannung den Stromfluss zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen durch den Kanal steuert. Dieser grundlegende Unterschied im Steuermechanismus führt zu Variationen in den Eigenschaften wie Eingangsimpedanz, Verlustleistung und Betriebsgeschwindigkeit zwischen BJTs und FETs.
Der Begriff „einfacher Transistor“ bezieht sich typischerweise auf BJTs im Vergleich zur komplexeren Struktur und Funktionsweise von MOSFETs. BJTs sind für ihren unkomplizierten Aufbau mit drei Halbleiterschichten und einfachen Vorspannungskonfigurationen bekannt. Sie wurden in der Vergangenheit häufig in analogen Schaltkreisen für Verstärkungs- und Schaltanwendungen verwendet. MOSFETs gelten, obwohl sie auch Transistoren sind, aufgrund ihrer Fähigkeit, bei höheren Frequenzen zu arbeiten, einem geringeren Stromverbrauch und ihrer Kompatibilität mit der integrierten Schaltkreistechnologie als fortschrittlicher. Daher bezieht sich der Unterschied zwischen einem BJT und einem „einfachen Transistor“ oft auf die Grundstruktur des BJT und seine traditionellen Anwendungen im Vergleich zu den erweiterten Funktionen und der Vielseitigkeit von MOSFETs in der modernen Elektronik.