Quelle est la différence entre le transistor BJT et le transistor mosfet

Quelle est la différence entre le transistor BJT et le transistor mosfet ?

Je pense qu’un transistor BJT est différent car il y a toujours du courant tout le temps. Être allumé ou éteint lorsqu’il est utilisé dans un circuit.

Le dispositif Mosfet est très différent, de sorte que presque aucun courant ne circule lorsqu’il est éteint. il peut être entièrement activé ou désactivé par une infime quantité de tension du réseau.

Un mosfet bjt est composé de deux types de transistors. Ils présentent de nombreuses similitudes mais aussi quelques différences clés.

Par conséquent, l’un ou l’autre peut être mieux adapté à des applications spécifiques.

La physique du dispositif de fonctionnement dépasse quelques paragraphes mais les appareils fonctionnent différemment au niveau physique. En termes de comportement de l’appareil, qui, je pense, correspond davantage à la question spécifique, voici un résumé de haut niveau.

Mosfet :

  • Résistance d’entrée très élevée, purement capacitive dans la plupart des cas.
  • L’impédance d’entrée (porte) ne change pas dans les conditions de polarisation drain/source.
  • un switch bien meilleur que le bjt (pas de problème de stockage de charge dans la triode)
  • il est bien préférable de produire une logique numérique que du bjt (voir commentaire précédent)
  • Transconductance (gm) inférieure par unité de courant.
  • Résistance de sortie (rds) par unité de courant inférieure à bjt.
  • Gain intrinsèque inférieur par rapport au bjt (voir les deux commentaires précédents).
  • Technologies de processus plus traditionnelles . La logique numérique est supérieure en cmos (mosfet complémentaire).
  • Dominez le type de transistor jamais produit.

Bjt :

  • bonnes fonctionnalités analogiques :
  • moins de bruit dans la plupart des applications que le mosfet
  • meilleure linéarité dans la plupart des structures d’amplificateur que le mosfet
  • meilleur gain intrinsèque que le mosfet
  • moins de résistance d’entrée que le mosfet
  • fuites de courant en fonction du courant collecteur-émetteur
  • La saturation Bjt présente des caractéristiques qui limitent certains circuits.
  • faible résistance d’entrée
  • La charge mémoire n’est pas aussi efficace que la logique numérique.

Les deux appareils sont efficacement modélisés avec le même circuit de petits signaux.

Les deux fonctionnent comme des sources d’énergie contrôlées en tension.

C’est le caractère critique du transistor. La tension d’entrée contrôle le courant de sortie. C’est un transconducteur.

Le BJT est souvent décrit comme un appareil contrôlé par le courant.

La version bêta décrit une relation entre le courant de base et le courant du collecteur et une poignée d’applications utilisent cet effet, mais ce n’est pas la norme.

La réalité est que la tension base-émetteur (vbe) contrôle le courant dans l’émetteur, ce qui définit à son tour la fuite de courant de base.

Cette vision du fonctionnement du dispositif est bien plus utile dans 99% des applications et permettra d’améliorer la compréhension et la conception des circuits.

Aucun des circuits amplificateurs conventionnels ne présente bêta comme terme significatif dans le gain de l’amplificateur.

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