Um transistor de junção bipolar (BJT) e um transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (MOSFET) são tipos de transistores, mas operam com princípios diferentes e têm características distintas. Um BJT é um dispositivo controlado por corrente que depende do movimento de portadores de carga (elétrons e lacunas) dentro de um material semicondutor.
Ele consiste em três camadas de material semicondutor (PNP ou NPN) e opera controlando o fluxo de corrente entre seus terminais emissor e coletor usando uma pequena corrente aplicada ao terminal base.
Em contraste, um MOSFET é um dispositivo controlado por tensão baseado na modulação da condutividade de um canal semicondutor por um campo elétrico. Possui um eletrodo de porta separado do canal por uma fina camada de óxido (daí o nome Metal-Óxido-Semicondutor), que atua como isolante.
Variando a tensão aplicada ao terminal da porta, o MOSFET pode controlar o fluxo de corrente entre os terminais fonte e dreno. Os MOSFETs são comumente usados para comutação e amplificação de alta velocidade em circuitos digitais e analógicos devido à sua alta impedância de entrada e baixo consumo de energia.
O termo “transistor” é frequentemente usado como um termo geral para se referir tanto aos BJTs quanto aos MOSFETs, que são os dois principais tipos de transistores amplamente utilizados na eletrônica.
Embora tanto os BJTs quanto os MOSFETs sejam capazes de funções de amplificação e comutação, seus princípios operacionais, construção e características de desempenho diferem significativamente. Os BJTs são conhecidos por suas capacidades de amplificação atuais e impedância de entrada relativamente menor em comparação com os MOSFETs.
Os MOSFETs, por outro lado, oferecem alta impedância de entrada, operação com baixo ruído e características de comutação eficientes.
A principal diferença entre um BJT e um Transistor de Efeito de Campo (FET), que inclui MOSFETs, está no seu modo de operação. Os BJTs são dispositivos controlados por corrente, onde a corrente de base controla o fluxo de corrente entre o emissor e o coletor. FETs, incluindo MOSFETs, são dispositivos controlados por tensão, onde a tensão porta-fonte controla o fluxo de corrente entre os terminais fonte e dreno através do canal.
Esta diferença fundamental no mecanismo de controle leva a variações em características como impedância de entrada, dissipação de energia e velocidade de operação entre BJTs e FETs.
O termo “transistor simples” normalmente se refere aos BJTs em comparação com a estrutura e operação mais complexas dos MOSFETs. Os BJTs são conhecidos por sua construção simples com três camadas semicondutoras e configurações de polarização simples. Eles têm sido amplamente utilizados historicamente em circuitos analógicos para aplicações de amplificação e comutação.
Os MOSFETs, embora também transistores, são considerados mais avançados devido à sua capacidade de operar em frequências mais altas, menor consumo de energia e compatibilidade com a tecnologia de circuitos integrados. Assim, a diferença entre um BJT e um “transistor simples” geralmente se refere à estrutura básica e às aplicações tradicionais do BJT em comparação com os recursos avançados e a versatilidade dos MOSFETs na eletrônica moderna.