La principal diferencia entre un JFET (Transistor de efecto de campo de unión) y un MOSFET (Transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico) radica en sus principios de construcción y funcionamiento.
Los JFET generalmente se construyen a partir de una sola pieza de material semiconductor, formando un canal entre dos terminales (fuente y drenaje) con un tercer terminal (puerta) que controla el ancho de este canal a través de un voltaje aplicado. Operan en modo de agotamiento, lo que significa que el canal normalmente conduce cuando no se aplica voltaje a la puerta.
Por otro lado, los MOSFET tienen una puerta aislada del canal por una fina capa de óxido (de ahí el nombre Metal-Oxide-Semiconductor). Pueden funcionar en modo de mejora (normalmente apagados sin voltaje de puerta) o en modo de agotamiento (normalmente encendidos sin voltaje de puerta), dependiendo de su diseño. El voltaje de la puerta controla la conductividad del canal entre la fuente y el drenaje.
En términos de velocidad, los MOSFET generalmente ofrecen velocidades de conmutación más rápidas en comparación con los JFET debido a su estructura de puerta aislada, que permite una carga/descarga más rápida de la capacitancia de la puerta.
En cuanto al término «FET», es un término amplio que abarca tanto los JFET como los MOSFET. Por lo tanto, si bien todos los MOSFET son FET, no todos los FET son MOSFET. Los JFET y MOSFET difieren significativamente en su construcción, características y modos operativos, y satisfacen diferentes requisitos de circuitos y aplicaciones a pesar de su clasificación compartida como transistores de efecto de campo.