Il n’est pas tout à fait exact de décrire les transistors à jonction bipolaire (BJT) comme des dispositifs purement contrôlés par le courant. Bien que les BJT puissent être contrôlés par le courant au niveau de la borne de base pour réguler le courant du collecteur, ils présentent également des dépendances en tension. La jonction base-émetteur d’un BJT fonctionne de la même manière qu’une diode en polarisation directe, où un petit courant de base contrôle un courant de collecteur plus important. Cependant, la tension collecteur-émetteur joue également un rôle crucial dans la détermination du point de fonctionnement et des caractéristiques du transistor. Par conséquent, alors que le courant à la borne de base influence le comportement du transistor, la tension aux bornes du collecteur-émetteur affecte également de manière significative son fonctionnement.
Les BJT sont souvent appelés dispositifs à courant contrôlé par le courant, car le courant de base contrôle l’amplitude du courant du collecteur. En ajustant le courant de base, le courant du collecteur peut varier proportionnellement. Cette caractéristique rend les BJT adaptés aux applications nécessitant une amplification ou une commutation de courant précise, où le contrôle du flux de courant est essentiel pour le fonctionnement du circuit.
Les transistors, y compris les BJT, contrôlent le courant dans le sens où le courant de base détermine la quantité de courant circulant à travers le chemin collecteur-émetteur. Dans les applications d’amplification, de petites variations du courant de base entraînent des modifications correspondantes du courant du collecteur, permettant aux transistors d’amplifier les signaux ou d’agir comme des commutateurs dans les circuits électroniques. Ainsi, même si les transistors ne contrôlent pas strictement le courant indépendamment d’autres facteurs comme la tension, ils régulent efficacement le flux de courant en fonction des signaux d’entrée et des conditions de polarisation.
Les BJT sont couramment utilisés comme amplificateurs de courant dans divers circuits électroniques. En contrôlant le courant de base, le BJT peut amplifier un petit courant de signal d’entrée en un courant de sortie plus important au niveau de la borne du collecteur. Cette capacité est exploitée dans des applications telles que les amplificateurs audio, les circuits de traitement du signal et les circuits de commutation où un contrôle et une amplification précis du courant sont nécessaires au bon fonctionnement.
Les transistors à effet de champ (FET) sont souvent décrits comme des dispositifs contrôlés en courant en raison de la relation entre la tension de grille et le courant drain-source. Dans les FET, la borne de grille contrôle la conductivité du canal entre les bornes de source et de drain. En faisant varier la tension grille-source (Vgs), le FET peut moduler le courant drain-source (Ids). Cette caractéristique contrôlée en tension distingue les FET des BJT, où le courant à la borne de base contrôle principalement le courant du collecteur. Par conséquent, les FET sont appelés dispositifs à courant contrôlé, car la tension de grille détermine la quantité de courant circulant à travers le dispositif, offrant des avantages dans certaines conceptions de circuits et applications par rapport aux conceptions basées sur BJT.