Não é totalmente preciso descrever os transistores de junção bipolar (BJTs) como dispositivos puramente controlados por corrente. Embora os BJTs possam ser controlados pela corrente no terminal de base para regular a corrente do coletor, eles também exibem dependências de tensão. A junção base-emissor de um BJT opera de forma semelhante a um diodo em polarização direta, onde uma pequena corrente de base controla uma corrente de coletor maior. No entanto, a tensão coletor-emissor também desempenha um papel crucial na determinação do ponto de operação e das características do transistor. Portanto, embora a corrente no terminal base influencie o comportamento do transistor, a tensão nos terminais coletor-emissor também afeta significativamente sua operação.
Os BJTs são frequentemente chamados de dispositivos de corrente controlados por corrente porque a corrente de base controla a magnitude da corrente do coletor. Ajustando a corrente de base, a corrente do coletor pode variar proporcionalmente. Essa característica torna os BJTs adequados para aplicações que exigem amplificação ou comutação precisa de corrente, onde o controle do fluxo de corrente é fundamental para a operação do circuito.
Os transistores, incluindo os BJTs, controlam a corrente no sentido de que a corrente de base determina a quantidade de corrente que flui através do caminho coletor-emissor. Em aplicações de amplificação, pequenas variações na corrente de base resultam em alterações correspondentes na corrente do coletor, permitindo que os transistores amplifiquem sinais ou atuem como interruptores em circuitos eletrônicos. Assim, embora os transistores não controlem estritamente a corrente independentemente de outros fatores como a tensão, eles regulam efetivamente o fluxo de corrente com base nos sinais de entrada e nas condições de polarização.
Os BJTs são comumente usados como amplificadores de corrente em vários circuitos eletrônicos. Ao controlar a corrente de base, o BJT pode amplificar uma pequena corrente de sinal de entrada para uma corrente de saída maior no terminal coletor. Esta capacidade é explorada em aplicações como amplificadores de áudio, circuitos de processamento de sinal e circuitos de comutação onde o controle preciso e a amplificação da corrente são necessários para a operação adequada.
Os transistores de efeito de campo (FETs) são frequentemente descritos como dispositivos controlados por corrente devido à relação entre a tensão da porta e a corrente da fonte de dreno. Nos FETs, o terminal gate controla a condutividade do canal entre os terminais fonte e dreno. Variando a tensão da fonte da porta (Vgs), o FET pode modular a corrente da fonte de drenagem (Ids). Esta característica controlada por tensão distingue os FETs dos BJTs, onde a corrente no terminal base controla predominantemente a corrente do coletor. Portanto, os FETs são chamados de dispositivos controlados por corrente porque a tensão da porta determina a quantidade de corrente que flui através do dispositivo, oferecendo vantagens em certos projetos de circuitos e aplicações em comparação com projetos baseados em BJT.