Es ist nicht ganz korrekt, Bipolar Junction Transistoren (BJTs) als rein stromgesteuerte Geräte zu bezeichnen. Während BJTs durch den Strom am Basisanschluss gesteuert werden können, um den Kollektorstrom zu regulieren, weisen sie auch Spannungsabhängigkeiten auf. Der Basis-Emitter-Übergang eines BJT funktioniert ähnlich wie eine Diode in Vorwärtsrichtung, wobei ein kleiner Basisstrom einen größeren Kollektorstrom steuert. Die Kollektor-Emitter-Spannung spielt jedoch auch eine entscheidende Rolle für den Arbeitspunkt und die Eigenschaften des Transistors. Während der Strom am Basisanschluss das Verhalten des Transistors beeinflusst, beeinflusst die Spannung an den Kollektor-Emitter-Anschlüssen auch erheblich seinen Betrieb.
BJTs werden oft als stromgesteuerte Stromgeräte bezeichnet, da der Basisstrom die Größe des Kollektorstroms steuert. Durch die Einstellung des Basisstroms kann der Kollektorstrom proportional variiert werden. Aufgrund dieser Eigenschaft eignen sich BJTs für Anwendungen, die eine präzise Stromverstärkung oder -schaltung erfordern und bei denen die Steuerung des Stromflusses für den Schaltkreisbetrieb von entscheidender Bedeutung ist.
Transistoren, einschließlich BJTs, steuern den Strom in dem Sinne, dass der Basisstrom die Strommenge bestimmt, die durch den Kollektor-Emitter-Pfad fließt. Bei Verstärkungsanwendungen führen kleine Schwankungen des Basisstroms zu entsprechenden Änderungen des Kollektorstroms, sodass Transistoren Signale verstärken oder als Schalter in elektronischen Schaltkreisen fungieren können. Obwohl Transistoren den Strom also nicht streng unabhängig von anderen Faktoren wie der Spannung steuern, regulieren sie den Stromfluss effektiv auf der Grundlage von Eingangssignalen und Vorspannungsbedingungen.
BJTs werden üblicherweise als Stromverstärker in verschiedenen elektronischen Schaltkreisen verwendet. Durch die Steuerung des Basisstroms kann der BJT einen kleinen Eingangssignalstrom zu einem größeren Ausgangsstrom am Kollektoranschluss verstärken. Diese Fähigkeit wird in Anwendungen wie Audioverstärkern, Signalverarbeitungsschaltungen und Schaltkreisen genutzt, bei denen eine präzise Steuerung und Verstärkung des Stroms für den ordnungsgemäßen Betrieb erforderlich ist.
Feldeffekttransistoren (FETs) werden aufgrund der Beziehung zwischen der Gate-Spannung und dem Drain-Source-Strom oft als stromgesteuerte Geräte beschrieben. Bei FETs steuert der Gate-Anschluss die Leitfähigkeit des Kanals zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen. Durch Variation der Gate-Source-Spannung (Vgs) kann der FET den Drain-Source-Strom (Ids) modulieren. Diese spannungsgesteuerte Eigenschaft unterscheidet FETs von BJTs, bei denen der Strom am Basisanschluss überwiegend den Kollektorstrom steuert. Daher werden FETs als stromgesteuerte Geräte bezeichnet, da die Gate-Spannung die Menge des durch das Gerät fließenden Stroms bestimmt, was bei bestimmten Schaltungsdesigns und Anwendungen Vorteile im Vergleich zu BJT-basierten Designs bietet.