W niektórych zastosowaniach bipolarny tranzystor złączowy (BJT) ma kilka zalet w porównaniu z MOSFET-em. Jedną z zalet jest jego zdolność do skutecznego wzmacniania prądu przy niskich napięciach, dzięki czemu nadaje się do obwodów analogowych, w których kluczowe znaczenie ma precyzyjne wzmocnienie prądu. BJT mają również wysoką zdolność przenoszenia prądu, co czyni je preferowanymi w zastosowaniach wymagających znacznej obsługi prądu bez skomplikowanych obwodów sterujących.
BJT mają przewagę nad MOSFET-ami, szczególnie w scenariuszach, w których niezbędna jest wydajność w zakresie wysokich częstotliwości. Zwykle wykazują lepszą wydajność przy wysokich częstotliwościach w porównaniu z tranzystorami MOSFET, dzięki czemu nadają się do zastosowań związanych z częstotliwością radiową (RF) i zastosowań wymagających szybkiego przełączania, gdzie wymagany jest krótki czas reakcji.
Zalety bipolarnych tranzystorów złączowych polegają na ich zdolności do bezpośredniego wzmacniania sygnałów bez konieczności stosowania napięcia bramki. Ta nieodłączna zdolność wzmacniania upraszcza projektowanie obwodów w niektórych zastosowaniach, w których konieczne jest precyzyjne wzmocnienie lub modulacja sygnału.
Główna różnica między bipolarnymi tranzystorami złączowymi (BJT) a tranzystorami MOSFET polega na ich budowie i zasadzie działania. BJT to urządzenia sterowane prądem, w których prąd przepływa pomiędzy zaciskami emitera i kolektora, gdy do zacisku podstawy zostanie przyłożony niewielki prąd. Natomiast tranzystory MOSFET to urządzenia sterowane napięciem, w których prąd przepływa pomiędzy zaciskami drenu i źródła, gdy do zacisku bramki przyłożone jest napięcie, kontrolując przewodność kanału.
Tranzystory polowe (FET), w tym MOSFET, oferują pod kilkoma względami przewagę nad bipolarnymi tranzystorami złączowymi (BJT). Jedną z kluczowych zalet jest ich zdolność do pracy z bardzo wysoką impedancją wejściową, co skutkuje minimalnymi wymaganiami dotyczącymi prądu wejściowego i wysoką wydajnością w zastosowaniach przełączających. Ta cecha sprawia, że tranzystory FET, w tym MOSFET, nadają się do urządzeń o niskim poborze mocy i urządzeń zasilanych bateryjnie, gdzie minimalizacja zużycia energii ma kluczowe znaczenie.