Een FET (Field-Effect Transistor) is een type transistor die werkt op basis van de spanning die wordt aangelegd op een gate-aansluiting, die de geleidbaarheid tussen de source- en drain-aansluitingen regelt. FET’s staan bekend om hun hoge ingangsimpedantie, waardoor ze geschikt zijn voor toepassingen waarbij het regelen van stroom met minimale ingangsspanning essentieel is. Ze zijn er in twee hoofdtypen: MOSFET’s (Metal-Oxide-Semiconductor FET’s) en JFET’s (Junction FET’s), elk met verschillende structuren en kenmerken.
FET-transistoren worden in een breed scala aan toepassingen gebruikt, voornamelijk voor schakel- en versterkingstaken. Ze worden vaak gebruikt in elektronische circuits waar snel schakelen, een laag stroomverbruik en minimale warmteontwikkeling vereist zijn. In digitale circuits worden MOSFET’s gebruikt als schakelaars om de stroomstroom te regelen op basis van de spanning die op de poortaansluiting wordt aangelegd. In analoge circuits worden FET’s gebruikt vanwege hun hoge ingangsimpedantie en lage ruiskarakteristieken in versterkers en signaalverwerkingscircuits.
Veldeffecttransistors (FET’s) werken door de geleidbaarheid tussen hun source- en drain-terminals te variëren op basis van de spanning die op de gate-terminal wordt toegepast. Bij MOSFET’s creëert een spanning op de poortterminal een elektrisch veld dat de stroom van ladingsdragers (elektronen of gaten) tussen de bron en de afvoer regelt. Bij JFET’s regelt de poortspanning de breedte van het uitputtingsgebied nabij de junctie, waardoor de stroom door het apparaat wordt gemoduleerd. Deze spanningsgestuurde werking onderscheidt FET’s van BJT (Bipolar Junction Transistors), die stroomgestuurde apparaten zijn.
BJT (Bipolar Junction Transistor) en FET (Field-Effect Transistor) zijn twee hoofdtypen transistors die in elektronische circuits worden gebruikt. BJT’s zijn stroomgestuurde apparaten die afhankelijk zijn van de stroom van zowel elektronen- als gatendragers tussen hun emitter-, basis- en collectorterminals. Ze worden doorgaans gebruikt in toepassingen die stroomversterking of -schakeling vereisen. FET’s daarentegen zijn spanningsgestuurde apparaten die een elektrisch veld gebruiken om de stroom van ladingsdragers tussen hun source- en drainterminals te moduleren. FET’s hebben de voorkeur in toepassingen waar een hoge ingangsimpedantie, een minimaal stroomverbruik en hoge schakelsnelheden van cruciaal belang zijn.
Het gebruik van een FET in plaats van een BJT biedt verschillende voordelen, afhankelijk van de toepassing. FET’s hebben over het algemeen een hogere ingangsimpedantie, wat betekent dat ze minder stroom uit het stuurcircuit trekken en minimale belastingseffecten vertonen. Deze eigenschap maakt FET’s geschikt voor toepassingen die een hoge ingangsgevoeligheid en weinig ruis vereisen, zoals in versterkers en signaalverwerkingscircuits. FET’s hebben ook de neiging sneller te schakelen dan BJT’s en kunnen op hogere frequenties werken, waardoor ze ideaal zijn voor digitale schakeltoepassingen en hoogfrequente circuits. Bovendien hebben FET’s een eenvoudiger structuur en zijn ze minder gevoelig voor thermische runaway in vergelijking met BJT’s, wat bijdraagt aan hun betrouwbaarheid in verschillende elektronische ontwerpen.
