MOSFET (Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör), elektronik sinyalleri yükseltmek veya değiştirmek için kullanılan bir transistör türüdür. Ana iletken kanaldan ince bir oksit tabakasıyla izole edilen üçüncü bir terminali (kapı) kullanarak iki terminal (kaynak ve drenaj) arasındaki akım akışını kontrol eder. Geçide bir voltaj uygulandığında, kanalın iletkenliğini değiştiren, akım akışına izin veren veya engelleyen bir elektrik alanı oluşturur. MOSFET’ler dijital ve analog devrelerde, güç yönetiminde ve amplifikasyonda yaygın olarak kullanılmaktadır.
MOSFET, bir yarı iletken kanalın iletkenliğini bir elektrik alanı kullanarak kontrol etme prensibiyle çalışır. Bu alan, kanaldan ince bir yalıtkan silikon dioksit tabakasıyla ayrılan kapı terminaline uygulanan voltaj tarafından üretilir. Geçit voltajı kanaldaki elektron veya delik konsantrasyonunu etkiler, böylece kaynak ve drenaj terminalleri arasındaki akım akışını düzenler. Bu akım akışını minimum kapı akımıyla kontrol etme yeteneği, MOSFET’leri oldukça verimli ve çok yönlü kılan şeydir.
e MOSFET (geliştirme modu MOSFET), kapı voltajına yanıt olarak kanalın iletkenliğini artırarak çalışır. N-kanallı bir MOSFET’te, kapıya pozitif bir voltaj uygulandığında, elektronları kapıya doğru çekerek kaynak ve drenaj arasında iletken bir kanal oluşturur. Bu, akımın cihazdan akmasına izin verir. Tersine, bir p-kanalı e MOSFET’te negatif bir kapı voltajı, iletken kanalı oluşturmak için delikleri çeker. Geçit voltajı olmadan kanal iletken değildir, yani MOSFET normalde kapalıdır.
Bir MOSFET örneği, güç elektroniği uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir n-kanal geliştirme modu MOSFET olan IRF540N’dir. Yüksek akım ve gerilimleri işleyebilmesi onu güç kaynağı devreleri, motor kontrolörleri ve anahtarlama regülatörleri için uygun hale getirir. IRF540N, kullanıldığı cihazların verimliliğini artıran düşük direnç ve hızlı anahtarlama yetenekleriyle bilinir.
Bir MOSFET’teki gövde etkisi, gövde (veya alt tabaka) ile kaynak terminali arasındaki voltaj farkının MOSFET’in eşik voltajı üzerindeki etkisini ifade eder. Bu voltaj farkı değiştiğinde, kaynak ile drenaj arasında iletken bir kanal oluşturmak için gereken minimum geçit voltajı olan eşik voltajını da değiştirir. Vücut etkisi, iletkenlik ve anahtarlama davranışı gibi kanalın özelliklerini değiştirerek MOSFET’in performansını etkileyebilir. Bu etki, gövdenin sıklıkla sabit bir potansiyele bağlı olduğu entegre devrelerde özellikle önemlidir.