Bir MOSFET’te (Metal-Oksit-Yarı İletken Alan Etkili Transistör), drenaj ve kaynak terminalleri, yarı iletken kalıp üzerindeki fiziksel yerleşim açısından birbirleriyle değiştirilebilir. Bu esneklik, MOSFET’in çalışmasının öncelikle kaynak terminaline göre kapı terminaline uygulanan voltaj tarafından kontrol edilmesi nedeniyle ortaya çıkar. Drenaj ve kaynak, işlevlerine göre farklılık gösterir: drenaj, akımın cihaza girdiği veya cihazdan çıktığı yerdir; kaynak ise, N-kanallı veya P-kanallı MOSFET olmasına bağlı olarak akımın çıktığı veya girdiği yerdir. Akım akışının yönü, cihazın kaynak veya drenaj rolünü belirler.
Katkı maddelerinin (iletkenliği belirleyen safsızlıklar) konsantrasyonu, bir MOSFET’teki kaynak ve drenaj bölgeleri arasında gerçekten farklılık gösterebilir. Bu asimetri, cihaz performansını optimize etmek için MOSFET üretiminde tipik bir durumdur. Ancak drenaj ve kaynağın fiziksel konumları açısından birbirinin yerine kullanılabilirliği, katkı konsantrasyonlarının aynı olması gerektiği anlamına gelmez. Katkı maddesi konsantrasyonundaki değişiklikler genellikle akım akışını arttırmak veya kaçak akımları en aza indirmek gibi belirli elektriksel özellikleri elde etmek için kasıtlı olarak yapılır.
Bağlantılı Alan Etkili Transistörde (JFET), yarı iletken malzemenin fiziksel yapısı ve katkısı nedeniyle kaynak ve drenaj terminalleri birbirinin yerine kullanılamaz. JFET’ler tipik olarak simetrik cihazlardır; bu, kaynak ve drenajın yapı ve katkı konsantrasyonu açısından eşdeğer olduğu anlamına gelir. Bununla birlikte, rolleri öngerilim koşullarıyla tanımlanır: Kaynak, akımın cihaza girdiği yerdir ve drenaj, cihazın çıktığı yerdir.
Bir MOSFET’teki akımın akışı, cihazın tipine (N-kanalı veya P-kanalı) ve geçit terminaline uygulanan öngerilim koşullarına bağlı olarak drenaj terminalinden kaynak terminaline veya tam tersi yönde gider. Akım akışının kontrolü, kaynak ve drenaj arasındaki kanalın iletkenliğini modüle eden, kaynak terminaline göre kapıya uygulanan voltajın değiştirilmesiyle sağlanır.
Bir MOSFET’in drenaj ve kaynak terminalleri kazara birbirine kısa devre yaparsa, bu durum cihazın hatalı veya kontrolsüz çalışmasına yol açabilir. Drenaj ve kaynağın kısa devre edilmesi, geçit voltajı tarafından sağlanan normal kontrol mekanizmasını etkili bir şekilde atlar. Bu durum cihazdan aşırı akım geçmesine neden olabilir ve bu durum MOSFET’in aşırı ısınmasına, hasar görmesine ve hatta tahrip olmasına neden olabilir. Bu tür kazara kısa devreleri önlemek ve elektronik devrelerde MOSFET’lerin güvenilir çalışmasını sağlamak için uygun devre tasarımı ve kullanımı çok önemlidir.