Bei einem MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) können die Drain- und Source-Anschlüsse hinsichtlich der physischen Platzierung auf dem Halbleiterchip austauschbar sein. Diese Flexibilität entsteht, weil der Betrieb des MOSFET in erster Linie durch die Spannung gesteuert wird, die relativ zum Source-Anschluss am Gate-Anschluss anliegt. Drain und Source unterscheiden sich durch ihre Funktionen: Im Drain fließt der Strom in das Gerät ein bzw. aus ihm aus, während in der Source der Strom aus- oder einfließt, je nachdem, ob es sich um einen N-Kanal- oder P-Kanal-MOSFET handelt. Die Richtung des Stromflusses bestimmt die Rolle des Geräts als Quelle oder Senke.
Die Konzentration von Dotierstoffen (Verunreinigungen, die die Leitfähigkeit bestimmen) kann tatsächlich zwischen den Source- und Drain-Bereichen in einem MOSFET unterschiedlich sein. Diese Asymmetrie ist typisch für die MOSFET-Herstellung, um die Geräteleistung zu optimieren. Die Austauschbarkeit von Drain und Source hinsichtlich ihrer physikalischen Positionen bedeutet jedoch nicht, dass ihre Dotierstoffkonzentrationen identisch sein müssen. Schwankungen der Dotierstoffkonzentration werden häufig gezielt vorgenommen, um bestimmte elektrische Eigenschaften zu erreichen, beispielsweise um den Stromfluss zu verbessern oder Leckströme zu minimieren.
Bei einem Junction Field-Effect Transistor (JFET) sind die Source- und Drain-Anschlüsse aufgrund des physikalischen Aufbaus und der Dotierung des Halbleitermaterials nicht austauschbar. JFETs sind typischerweise symmetrische Geräte, was bedeutet, dass Source und Drain hinsichtlich Struktur und Dotierungskonzentration gleichwertig sind. Ihre Rolle wird jedoch durch die Vorspannungsbedingungen bestimmt: Die Quelle ist die Stelle, an der der Strom in das Gerät eintritt, und die Senke ist die Stelle, an der er austritt.
Der Stromfluss in einem MOSFET verläuft vom Drain-Anschluss zum Source-Anschluss oder umgekehrt, abhängig vom Gerätetyp (N-Kanal oder P-Kanal) und den auf den Gate-Anschluss angewendeten Vorspannungsbedingungen. Die Steuerung des Stromflusses erfolgt durch Variation der am Gate angelegten Spannung relativ zum Source-Anschluss, wodurch die Leitfähigkeit des Kanals zwischen Source und Drain moduliert wird.
Wenn die Drain- und Source-Anschlüsse eines MOSFET versehentlich kurzgeschlossen werden, kann dies zu einem fehlerhaften oder unkontrollierten Betrieb des Geräts führen. Durch das Kurzschließen von Drain und Source wird der normale Steuermechanismus, der durch die Gate-Spannung bereitgestellt wird, effektiv umgangen. Diese Situation kann zu einem übermäßigen Stromfluss durch das Gerät führen, was möglicherweise zu einer Überhitzung, Beschädigung oder sogar Zerstörung des MOSFET führt. Um solche unbeabsichtigten Kurzschlüsse zu verhindern und den zuverlässigen Betrieb von MOSFETs in elektronischen Schaltkreisen sicherzustellen, sind die richtige Schaltungskonstruktion und -handhabung unerlässlich.