O estado de saturação em um transistor ocorre quando a junção base-emissor e a junção base-coletor estão polarizadas diretamente. Neste estado, o transistor permite que a corrente máxima flua do coletor para o emissor, agindo como uma chave fechada. A queda de tensão na junção coletor-emissor é mínima, normalmente em torno de 0,2 volts para transistores de silício. Este estado é essencial para aplicações de comutação onde o transistor é usado para passar grandes correntes com resistência mínima.
O estado de corte em um transistor ocorre quando a junção base-emissor e a junção base-coletor estão polarizadas reversamente. Neste estado, o transistor não conduz corrente significativa entre o coletor e o emissor, agindo essencialmente como uma chave aberta. A corrente através do coletor é mínima e a tensão na junção coletor-emissor é próxima da tensão de alimentação. Este estado é crucial para aplicações de comutação para garantir que nenhuma corrente flua quando o transistor estiver desligado.
A corrente de saturação em um transistor refere-se à corrente máxima que pode fluir através do transistor quando ele está no estado de saturação. Esta corrente é determinada principalmente pela corrente de base e pelo ganho de corrente (beta) do transistor. Quando o transistor está saturado, aumentar a corrente de base não aumenta significativamente a corrente do coletor, pois o transistor já permite que a corrente máxima flua do coletor para o emissor. A corrente de saturação é um parâmetro importante no projeto de circuitos que requerem transistores para operar como chaves.
O estado de saturação de um transistor de junção bipolar (BJT) é uma condição em que o transistor está totalmente ligado, com as junções base-emissor e base-coletor polarizadas diretamente. Neste estado, o BJT permite que a corrente máxima flua do coletor para o emissor, semelhante a uma chave fechada. A tensão coletor-emissor é muito baixa e diz-se que o BJT está em um estado de “saturação forte”. Este estado é essencial para aplicações de comutação onde o BJT é usado para controlar grandes correntes com mínima queda de tensão e dissipação de energia.
Num MOSFET, as regiões de corte, saturação e ativas referem-se a diferentes estados operacionais. Na região de corte, a tensão porta-fonte está abaixo da tensão limite e o MOSFET está desligado, sem corrente fluindo do dreno para a fonte. Na região de saturação (muitas vezes chamada de região ativa para MOSFETs), a tensão porta-fonte está acima da tensão limite, e a corrente de dreno é relativamente constante e independente da tensão dreno-fonte, controlada principalmente pela porta. -tensão à fonte. A região ativa em um MOSFET é normalmente usada para aplicações analógicas onde o MOSFET opera como uma fonte de corrente controlada. Em contraste, a região de saturação nos BJTs é usada para alternar aplicações.
