Stan nasycenia w tranzystorze występuje, gdy zarówno złącze baza-emiter, jak i złącze baza-kolektor są spolaryzowane w kierunku przewodzenia. W tym stanie tranzystor umożliwia przepływ maksymalnego prądu z kolektora do emitera, działając jak zamknięty przełącznik. Spadek napięcia na złączu kolektor-emiter jest minimalny i zwykle wynosi około 0,2 wolta w przypadku tranzystorów krzemowych. Stan ten jest niezbędny w zastosowaniach przełączających, w których tranzystor jest używany do przepuszczania dużych prądów przy minimalnym oporze.
Stan odcięcia w tranzystorze ma miejsce, gdy zarówno złącze baza-emiter, jak i złącze baza-kolektor są spolaryzowane zaporowo. W tym stanie tranzystor nie przewodzi znaczącego prądu między kolektorem a emiterem, działając zasadniczo jako otwarty przełącznik. Prąd płynący przez kolektor jest minimalny, a napięcie na złączu kolektor-emiter jest bliskie napięciu zasilania. Stan ten ma kluczowe znaczenie dla zastosowań przełączających, aby zapewnić, że prąd nie będzie płynął, gdy tranzystor ma być wyłączony.
Prąd nasycenia w tranzystorze odnosi się do maksymalnego prądu, który może przepływać przez tranzystor, gdy jest on w stanie nasycenia. Prąd ten zależy przede wszystkim od prądu bazy i wzmocnienia prądowego (beta) tranzystora. Gdy tranzystor jest nasycony, zwiększenie prądu bazy nie zwiększa znacząco prądu kolektora, ponieważ tranzystor już pozwala na przepływ maksymalnego prądu z kolektora do emitera. Prąd nasycenia jest ważnym parametrem przy projektowaniu obwodów, które wymagają, aby tranzystory działały jako przełączniki.
Stan nasycenia tranzystora bipolarnego (BJT) to stan, w którym tranzystor jest całkowicie włączony, a złącza baza-emiter i baza-kolektor są spolaryzowane w kierunku przewodzenia. W tym stanie BJT umożliwia przepływ maksymalnego prądu z kolektora do emitera, podobnie jak w przypadku zamkniętego przełącznika. Napięcie kolektor-emiter jest bardzo niskie i mówi się, że BJT znajduje się w stanie „twardego nasycenia”. Stan ten jest niezbędny w zastosowaniach przełączających, w których BJT służy do sterowania dużymi prądami przy minimalnym spadku napięcia i rozpraszaniu mocy.
W MOSFET-ie obszary odcięcia, nasycenia i aktywne odnoszą się do różnych stanów operacyjnych. W obszarze odcięcia napięcie bramka-źródło jest niższe od napięcia progowego, a tranzystor MOSFET jest wyłączony, a prąd nie przepływa od drenu do źródła. W obszarze nasycenia (często nazywanym obszarem aktywnym tranzystorów MOSFET) napięcie bramka-źródło jest wyższe od napięcia progowego, a prąd drenu jest stosunkowo stały i niezależny od napięcia dren-źródło, kontrolowanego głównie przez bramkę -napięcie do źródła. Obszar aktywny tranzystora MOSFET jest zwykle używany w zastosowaniach analogowych, w których MOSFET działa jako kontrolowane źródło prądu. Natomiast obszar nasycenia w BJT jest używany do zastosowań przełączających.