Os transistores podem substituir capacitores e resistores?
Isso é feito no IC muito atualmente. A resistência é fácil com os fets e o capacitor realmente não pode ser totalmente substituído, pode ser multiplicado tornando a pequena capacidade maior e útil. As fontes de corrente podem e são usadas principalmente para substituir a resistência.
Primeiro entenda a função de resistores e capacitores.
Os resistores são usados para limitar a corrente. Eles resistem ou se opõem ao fluxo da corrente. Agora, podemos substituí-los? O é sim. Muitas vezes, no projeto de circuitos integrados onde é difícil fabricar resistores, utilizamos transistores. Isso é chamado de carga ativa.
Um jfet (que também é um transistor) pode ser usado como resistor de tensão variável.
Os capacitores armazenam carga. Bem, você não pode substituir capacitores em circuitos essenciais como filtros, pinças ou osciladores, mas usamos mosfets em memórias de computador.
A capacidade de interjunção dos fets é usada. Contudo, a substituição completa dos capacitores não é possível em um circuito.
Existem muitos tipos de transistores, alguns dos quais foram discutidos aqui. Basicamente, os fets são ideais para substituir resistores, pois podem ser configurados de forma que a polarização da porta controle a corrente no canal.
Isso torna possível usar resistores fixos com polarização fixa e resistores controláveis variáveis com polarização variável. Funciona com muitos processos FET.
Os capacitores são mais interessantes: cada junção semicondutora possui uma certa capacidade que pode ser aumentada ou diminuída por polarização reversa ou direta.
Moduladores e demoduladores Fm e osciladores de frequência variável foram construídos usando varicaps ou varactores. Por definição, não transistores, mas sim diodos.
Devido à necessidade de fornecer uma tensão de polarização para “ajustar” as distâncias entre as placas, elas são usadas para sinais CA em vez de para armazenamento de carga.
Os Bjt possuem uma capacidade intrínseca em cada junção (devido ao efeito miller). Não sei se este efeito já foi considerado como uma substituição de capacitor útil/desejável.
Em circuitos integrados não é necessário fazer uma junção pn, desde que se tenha um depósito de metal e silício, ou seja possível difundir um isolamento/dielétrico suficiente entre duas camadas de camadas p ou n dopadas.
Da mesma forma, o silício intrínseco entre duas camadas de depósito metálico proporcionaria uma capacidade razoável, por menor que fosse.
