DEMOSFET.
Demosfet: transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico com aprimoramento de esgotamento
Transistores de efeito de campo (fet) são um tipo de transistor comumente usado para amplificação de sinais fracos (por exemplo, para amplificar sinais sem fio).
O dispositivo pode amplificar sinais analógicos ou digitais.
Ele também pode alternar CC ou funcionar como um oscilador.
No fet, a corrente flui ao longo de um caminho semicondutor denominado canal.
Em uma extremidade do canal, existe um eletrodo denominado fonte.
Na outra extremidade do canal há um eletrodo chamado esgoto.
O diâmetro físico da linha fixa, mas o diâmetro elétrico efetivo pode ser variado aplicando tensão a um eletrodo de controle denominado porta.
A condutividade do feto depende, num determinado momento, do diâmetro da linha de energia. Pequenas mudanças na tensão da porta podem causar grandes variações na corrente da fonte ao dreno. tem várias vantagens e algumas desvantagens em relação aos transistores bipolares. Os transistores de efeito de campo são preferidos para trabalhos com sinais fracos, por exemplo, em comunicações sem fio e receptores de transmissão.
Eles também são preferidos em circuitos e sistemas que exigem alta impedância.
O feto não é, em geral, usado para amplificação de alta potência, conforme exigido em grandes comunicações sem fio e transmissores de transmissão. Os transistores de efeito de campo são fabricados em chips de circuito integrado (IC) de silício. componentes como resistores, capacitores e diodos. Os transistores de efeito de campo existem em duas classificações principais.
Os transistores de efeito de campo de porta são os tipos mais simples de campos de efeito de transistor. eles são um dispositivo semicondutor de três terminais que pode ser usado como uma chave controlada eletronicamente, um amplificador ou um resistor controlado por tensão.
A junção de junção tem um canal de materiais semicondutores do tipo n (canal n) ou semicondutores do tipo p (canal p); portas são feitas de tipos opostos de semicondutores.
Em materiais do tipo p, a carga elétrica é realizada principalmente na forma de defeitos eletrônicos chamados buracos.
No material do tipo n, os portadores de carga são principalmente elétrons.
Em um jfet, a interseção é o limite entre o canal e a porta.
Normalmente, a conexão p-n é polarizada (tensão CC aplicada) para que nenhuma corrente flua entre o canal e a porta.
Entretanto, sob algumas condições, há uma pequena corrente através da junção durante parte do ciclo do sinal de entrada.
Sabemos que quando a porta é polarizada negativamente em relação à fonte no canal n jfet, a largura da região de depleção aumenta. o aumento da área de esgotamento reduz a espessura do canal, o que aumenta sua durabilidade. o resultado líquido é que o ID de drenagem atual é reduzido.
Se a polaridade vgg for invertida de modo a aplicar uma polarização positiva à porta em relação à fonte, a conexão p-n entre a porta e o canal avançará. como a polarização direta reduz a largura da região de depleção, a espessura do canal aumentará com a correspondente diminuição da resistência do canal. como resultado, o ID de drenagem atual aumentará além do valor de idss jfet.
A operação normal de um jfet está em modo operacional de depreciação. Contudo, como discutido acima, também é possível melhorar a condutividade dos canais jfet. no entanto, a polarização direta da conexão pn de silício é geralmente limitada a um máximo de 0,5 v (os limites mais conservadores são 0,2 v), limitando assim a corrente da porta.
Como vimos, quanto maior for o id comparado ao id, maior será a condutância trans gm. vimos antes que o ganho de tensão é diretamente proporcional a gm. então, em geral, quanto maior o GM, melhor. essa é uma das vantagens de poder melhorar o canal.
O no mosfet, o canal pode ser um semicondutor do tipo n ou do tipo p. O eletrodo da porta é um pedaço de metal cuja superfície é oxidada. um gate-fet isolado (igfet), mas o termo agora é raramente usado.
Como a camada de óxido atua como um dielétrico, basicamente não há corrente entre a porta e o canal durante cada parte do ciclo do sinal. Isso dá ao mosfet uma impedância de entrada extremamente grande. a danos por carga eletrostática. São necessárias precauções especiais ao manusear ou transportar a maioria dos dispositivos.
