Um transistor de efeito de campo (FET) é um tipo de transistor que usa um campo elétrico para controlar a condutividade de um canal em um material semicondutor. Opera com base no princípio de modular a tensão aplicada a um terminal de porta, que por sua vez altera a condutividade entre os terminais fonte e dreno. Isso permite que os FETs atuem como amplificadores ou interruptores em circuitos eletrônicos, oferecendo alta impedância de entrada e baixa impedância de saída em comparação com outros tipos de transistores, como os BJTs.
O termo “FET” refere-se a uma categoria de transistores caracterizados pelo seu método de operação envolvendo um campo elétrico (o “efeito de campo”) para controlar o fluxo de corrente. Isso os distingue dos transistores de junção bipolar (BJTs), que dependem do movimento de portadores de carga (elétrons e lacunas) através de um material semicondutor.
Os FETs funcionam aplicando uma tensão ao terminal da porta, o que cria um campo elétrico através de uma fina camada semicondutora (normalmente silício). Este campo elétrico controla a condutividade do canal entre os terminais da fonte e do dreno. Dependendo do tipo de FET (como MOSFETs ou JFETs), o canal pode ser aprimorado ou esgotado de portadores de carga, permitindo assim que a corrente flua ou impedindo-a, respectivamente.
O nome “FET” reflete o princípio fundamental de funcionamento desses transistores: o controle do fluxo de corrente através de um campo elétrico. Ao contrário dos BJTs, que controlam a corrente através da injeção de portadores de carga, os FETs utilizam o efeito de campo para obter funcionalidade semelhante com características de desempenho distintas. Esta convenção de nomenclatura ressalta o mecanismo único pelo qual os FETs operam em comparação com outros tipos de transistores.