Os transistores de efeito de campo (FETs) são classificados como dispositivos unipolares em vez de dispositivos bipolares. Esta distinção surge do mecanismo de condução de corrente dentro dos FETs, que envolve principalmente o movimento de um tipo de portador de carga – elétrons (em FETs de canal N) ou buracos (em FETs de canal P). Nos FETs, o fluxo de corrente entre os terminais da fonte e do dreno é controlado pelo campo elétrico gerado pela tensão aplicada ao terminal da porta em relação à fonte. Essa condutividade controlada por tensão torna os FETs eficientes para aplicações que exigem amplificação de tensão precisa, comutação ou resistência variável.
Ao contrário dos transistores de junção bipolar (BJTs), que são dispositivos bipolares envolvendo elétrons e lacunas em seu mecanismo de condução de corrente, os FETs operam com base no movimento predominantemente de um tipo de portador de carga. Este comportamento unipolar simplifica seu projeto e operação, tornando-os adequados para aplicações de alta frequência e reduzindo a complexidade associada ao controle simultâneo de ambos os tipos de portadores de carga.
Um FET não é considerado um transistor bipolar. O termo “transistor bipolar” refere-se especificamente aos BJTs, onde a condução de corrente envolve o movimento de elétrons e lacunas através das junções do transistor. Em contraste, os FETs operam com base no princípio do controle de efeito de campo sobre portadores de carga, distinguindo-os como dispositivos unipolares que oferecem vantagens em termos de velocidade, eficiência energética e desempenho de ruído em circuitos eletrônicos.
Um transistor de junção unipolar não é um termo padrão na física ou eletrônica de semicondutores. No entanto, se nos referirmos aos FETs, eles são de fato considerados dispositivos unipolares devido à sua dependência do movimento de um tipo de portador de carga (elétrons ou buracos) para a condução de corrente. Esta característica unipolar é fundamental para o seu funcionamento e os distingue dos transistores de junção bipolar (BJTs), que envolvem o movimento de elétrons e lacunas em seu mecanismo de condução de corrente.
Os transistores de efeito de campo de junção (JFETs) são especificamente categorizados como dispositivos unipolares. Nos JFETs, o fluxo de corrente entre os terminais fonte e dreno é controlado predominantemente pela tensão aplicada ao terminal gate em relação à fonte. Este comportamento controlado por tensão afeta a largura do canal condutor dentro do material semicondutor, regulando o fluxo de corrente de elétrons (em JFETs de canal N) ou buracos (em JFETs de canal P). Essa operação unipolar torna os JFETs adequados para aplicações que exigem controle preciso de tensão e alta impedância de entrada, como em amplificadores e interruptores analógicos.
JFETs não são classificados como dispositivos bipolares. Dispositivos bipolares, como os BJTs, operam com base no princípio de que elétrons e buracos contribuem para a condução de corrente através de suas junções. Em contraste, os JFETs dependem apenas do movimento de um tipo de portador de carga (elétrons ou lacunas) controlado pela tensão porta-fonte. Esta característica unipolar distingue os JFETs dos dispositivos bipolares e ressalta suas vantagens exclusivas em certas aplicações eletrônicas onde a alta impedância de entrada e a operação controlada por tensão são críticas.
