JFET são dispositivos semicondutores de três terminais que podem ser usados como interruptores controlados eletronicamente, amplificadores ou resistores controlados eletricamente. O transistor de efeito de campo da porta de junção (JFET ou JUGFET) é o tipo mais simples de transistor de efeito de campo.
Ao contrário dos transistores bipolares, os JFETs só são alimentados ao vivo porque não precisam de corrente de polarização. A carga elétrica flui através de um canal semicondutor entre os terminais fonte e dreno. Ao aplicar uma tensão de polarização inversa a um terminal de porta, o canal é “comprimido”, de modo que a corrente elétrica é evitada ou desligada completamente.
Um JFET geralmente é ativado quando não há diferença de potencial entre o portão e os terminais de origem. Se for aplicada uma diferença de potencial na polaridade correta entre os terminais de porta e fonte, o JFET será mais resistente à corrente, o que significa que menos corrente fluirá para o canal entre os terminais de fonte e dreno. Portanto, os JFETs são às vezes chamados de dispositivos desatualizados.
Os JFETs podem ter um canal do tipo n ou p. No tipo n, se a tensão aplicada à porta for menor que a aplicada à fonte, a corrente será reduzida (da mesma forma que no tipo p, se a tensão aplicada à porta for maior que a aplicada à fonte). Um JFET tem uma grande impedância de entrada (às vezes de 1010 ohms), o que significa que tem um efeito insignificante nos componentes ou circuitos externos conectados à sua porta.
O transistor de efeito de campo de junção
Vimos anteriormente que um transistor de junção bipolar é construído usando duas junções PN no caminho principal de transporte de corrente entre o emissor e os terminais do coletor. O transistor de efeito de campo de junção (JUGFET ou JFET) não possui junções PN, mas possui um pedaço estreito de material semicondutor de alta resistividade que forma um “canal” do tipo N ou P para deslizar as portadoras principais com duas conexões elétricas ôhmicas em cada extremidade chamadas Dreno e Fonte respectivamente.
Existem duas configurações básicas de transistor de efeito de campo de junção, JFET para o canal N e JFET para o canal P. O canal JFET, canal N, é dopado com impurezas doadoras, indicando que o fluxo de corrente através do canal é negativo (daqui o termo canal N) em a forma de elétrons.
Da mesma forma, o canal JFET, canal P, é dopado com impureza do transdutor, o que significa que o fluxo de corrente através do canal é positivo (daí o termo do canal P) na forma de buracos. Os JFETs de canal N têm maior condutividade de canal (menor resistência) do que seus tipos de canal tipo P, uma vez que os elétrons têm maior mobilidade através de um condutor do que através dos buracos. Isso torna o JFET para o canal N um condutor mais eficiente do que os equivalentes do canal P.
Dissemos anteriormente que existem duas conexões elétricas ôhmicas em cada extremidade do canal, chamadas Dreno e Fonte. Mas dentro deste canal existe uma terceira conexão elétrica chamada terminal de portão e este também pode ser um material tipo P ou tipo N que forma uma junção PN com o canal principal.
