Tranzystory FET (tranzystory polowe) oferują kilka zalet w porównaniu z BJT (tranzystory bipolarne), co czyni je preferowanymi w niektórych zastosowaniach. Istotną zaletą jest ich wysoka impedancja wejściowa, co oznacza, że pobierają bardzo mało prądu z obwodów sterujących. Ta właściwość zmniejsza efekty obciążenia i umożliwia skuteczniejszą współpracę tranzystorów FET ze źródłami sygnału o wysokiej impedancji bez znaczącego wpływu na integralność sygnału. Natomiast BJT mają niższą impedancję wejściową, co może prowadzić do większego poboru prądu i potencjalnej degradacji sygnału w wrażliwych obwodach.
W porównaniu z BJT, tranzystory FET są również korzystne pod względem stabilności termicznej i niezawodności. Wykazują mniejszą podatność na niekontrolowaną reakcję termiczną, podczas której nadmierne nagrzewanie powoduje wzrost przepływu prądu i dalsze nagrzewanie, potencjalnie niszcząc tranzystor. Tranzystory FET są z natury bardziej odporne na rozpraszanie dużej mocy i zmiany temperatury, dzięki czemu nadają się do zastosowań wymagających stabilnej pracy w zmieniających się warunkach środowiskowych.
Decyzja o zastosowaniu FET zamiast BJT często zależy od konkretnych wymagań aplikacji. Tranzystory FET są szczególnie korzystne w obwodach, w których priorytetem jest wysoka impedancja wejściowa, niskie zużycie energii i minimalne wytwarzanie ciepła. Są powszechnie stosowane we wzmacniaczach o niskim poziomie szumów, obwodach wysokiej częstotliwości i przełącznikach cyfrowych, gdzie niezbędny jest szybki czas reakcji i wydajne działanie.
Główną przewagą tranzystorów FET nad BJT jest ich wysoka impedancja wejściowa i działanie sterowane napięciem. Tranzystory FET sterują przepływem prądu w oparciu o napięcie przyłożone do zacisku bramki, podczas gdy tranzystory BJT opierają się na sterowaniu prądem przez zacisk bazowy. Ta różnica pozwala tranzystorom FET działać przy minimalnym prądzie wejściowym i oferować wyższe prędkości przełączania i wydajność w porównaniu do BJT.
Główna różnica między FET i BJT polega na ich podstawowych zasadach działania i konstrukcji. Tranzystory FET kontrolują przepływ prądu za pomocą pola elektrycznego wytwarzanego przez napięcie przyłożone do zacisku bramki, modulując przewodność pomiędzy zaciskami źródła i drenu. Natomiast BJT kontrolują przepływ prądu poprzez wtrysk i dyfuzję nośników mniejszościowych (elektronów lub dziur) pomiędzy zaciskami emitera, bazy i kolektora. Ta różnica w działaniu wpływa na ich charakterystykę, taką jak impedancja wejściowa, prędkość i stabilność temperaturowa, wpływając na ich przydatność do różnych typów obwodów elektronicznych i zastosowań.