Główna różnica pomiędzy JFET (złączowym tranzystorem polowym) i MOSFET (tranzystorem polowym metalowo-tlenkowo-półprzewodnikowym) polega na ich budowie i działaniu. Tranzystory JFET są zwykle wykonane z jednego kawałka materiału półprzewodnikowego i działają przy użyciu napięcia przyłożonego do złącza spolaryzowanego odwrotnie w celu kontrolowania przewodności między ich źródłem a zaciskami drenu. Charakteryzują się prostą konstrukcją i wysoką impedancją wejściową, dzięki czemu nadają się do zastosowań, w których pożądany jest minimalny pobór prądu i wysoka impedancja.
Tranzystory to szersza kategoria, która obejmuje zarówno tranzystory JFET, jak i MOSFET, a także BJT (tranzystory bipolarne). Tranzystory FET, w tym zarówno JFET, jak i MOSFET, różnią się od BJT tym, że kontrolują przepływ prądu poprzez modulację pola elektrycznego (FET) lub poprzez wtrysk i dyfuzję nośników ładunku (BJT). W szczególności tranzystory MOSFET mają dodatkową warstwę izolacji (warstwę tlenkową) pomiędzy elektrodą bramki a kanałem półprzewodnikowym, co pozwala na bardziej precyzyjną kontrolę nad przewodnością i szybkością przełączania w porównaniu z tranzystorami JFET.
Tranzystory MOSFET są generalnie szybsze niż JFET w zastosowaniach przełączających. Ta zaleta prędkości wynika z izolowanej konstrukcji bramki MOSFET, która pozwala na szybką modulację pola elektrycznego, a w konsekwencji kontrolę przepływu prądu. Dzięki tej możliwości tranzystory MOSFET nadają się do zastosowań przełączających o wysokiej częstotliwości i obwodów cyfrowych, gdzie krytyczny jest szybki czas reakcji i wydajne działanie.
Zalety tranzystorów MOSFET w porównaniu z JFET obejmują ich zdolność do pracy przy niższych napięciach i wyższych gęstościach prądu, a także niższą rezystancję włączenia. Tranzystory MOSFET mogą obsługiwać wyższe poziomy mocy przy mniejszym rozpraszaniu ciepła ze względu na ich niższą rezystancję włączenia i wydajną charakterystykę przełączania. Ponadto tranzystory MOSFET wykazują lepszą skalowalność pod kątem miniaturyzacji i integracji ze złożonymi obwodami, dzięki czemu nadają się do stosowania w nowoczesnych technologiach półprzewodnikowych i urządzeniach elektronicznych o dużej gęstości.
Różnica między JFET a tranzystorem polega na ich zasadzie działania i konstrukcji. Tranzystor to termin ogólny obejmujący różne typy, w tym BJT (tranzystory dwubiegunowe) i FET (tranzystory polowe). JFET to rodzaj tranzystora FET, który działa poprzez kontrolowanie przepływu prądu przez napięcie przyłożone do złącza o polaryzacji zaporowej. Natomiast BJT kontrolują przepływ prądu poprzez wtrysk i dyfuzję nośników ładunku pomiędzy ich końcówkami emitera, bazy i kolektora. Ta zasadnicza różnica w działaniu i konstrukcji wpływa na ich właściwości, takie jak impedancja wejściowa, prędkość przełączania i możliwości przenoszenia mocy, wpływając na ich przydatność do różnych zastosowań elektronicznych.
