Qual é a diferença entre JFET e MOSFET?
- no mosfet o portão é isolado do dreno e da fonte
- no jfet, a comporta não está isolada do dreno e da fonte
a tensão da rede que corta o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte é chamada de tensão de aperto e é um parâmetro importante. o mosfet é um tipo especial de fet cuja porta é isolada do canal principal que transporta a corrente. também é chamado de igfet ou transistor de efeito de campo de porta isolada.
jfet é o transistor de efeito de campo de junção.que funciona apenas com a camada de depleção.a porta não é isolada da fonte e do dreno.alta resistência ao dreno.A corrente de fuga da porta jfet é da ordem de nano amperes.
mosfet é o transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico. Comparado ao jfet, o mosfet possui uma alta impedância de entrada. A operação do modo de amplificação e da melhoria. A porta está isolada da fonte e do dreno. Comparado com o efeito capacitivo.
um jfet é um transistor em modo de esgotamento. uma junção na junção do diodo entre o portão e o canal. Usando um jfet de canal n como exemplo, quando a junção do diodo da porta é polarizada reversamente, a condutividade do canal entre o dreno e a fonte diminui. o processo de polarização inversa da porta significa que sua tensão é mais negativa que a fonte e ainda mais negativa que o dreno. um ponto pode ser alcançado durante o processo de polarização reversa onde o campo elétrico produzido pela porta interrompe a condutividade do canal e qualquer corrente circulante é cortada.
Um mosfet é geralmente um transistor de aprimoramento de modo. Os tipos de modo de exaustão são muito mais raros. um mosfet é muito parecido com um jfet. Uma grande diferença é que a porta fica muito isolada do canal. o isolamento pode ser danificado se a tensão se tornar muito positiva ou negativa em relação à fonte.
1. os efeitos só podem ser usados no modo de esgotamento, enquanto os mosfets podem ser usados no modo de esgotamento ou aprimoramento. em um jfet, se a porta estiver polarizada diretamente, ocorre uma injunção de excesso de portadora e a corrente da porta é grande. assim, a condutância do canal é melhorada até certo ponto devido ao excesso de portadora, mas o dispositivo nunca é usado com uma porta polarizada ao vivo, porque a corrente da porta não é desejável.
2.Mosets têm uma impedância de entrada muito maior do que a dos jatos. isso se deve a uma corrente de fuga insignificante.
3.são curvas características mais planas que os mosfets, o que indica uma maior resistência do dreno. Quando operado com polarização reversa na junção, a corrente de rede ig é maior do que seria o caso de um mosfet comparável. a corrente causada pela extração de portadores minoritários em uma junção polarizada reversa é maior, por unidade de área, do que a corrente de fuga suportada pela camada de óxido em um mosfet. portanto, os dispositivos mosfet são mais úteis em aplicações eletrométricas do que os jatos.
em comparação com o jfet, os mosfets são mais fáceis de fabricar.
jfets são explorados apenas no modo de esgotamento. o tipo de esgotamento mosfet pode ser explorado tanto no modo de esgotamento quanto no modo de aprimoramento
as características de saída do jfet são mais planas do que as do mosfet, porque a resistência de drenagem no jfet (1 m ??) é maior que a do mosfet (50k ??)
a corrente de fuga da porta do jfet é da ordem de nanoamperes. para o mosfet, a corrente de fuga da rede estará em picoamperes.
a resistência de entrada do jfet é em torno de 10 ^ 8 ?? para o mosfet, a resistência de entrada estará na faixa de 10 ^ 10 a 10 ^ 15 ??.
Devido às suas vantagens, os mosfets são amplamente utilizados em circuitos virtuais em comparação com os jfets. como o mosfet está sujeito a tensões de sobrecarga, cuidados especiais devem ser tomados durante a instalação.
mosfet tem uma tensão de deslocamento zero. os terminais de fonte e dreno podem ser trocados (isso é chamado de dispositivo simétrico). Devido a esses dois recursos, o MOSFET é amplamente utilizado na comutação de sinais analógicos.
Em um jfet, o campo elétrico transversal através da junção pn polarizada inversamente controla a condutividade do canal. em um mosfet, o campo elétrico transversal induzido através de uma camada isolante depositada no material semicondutor controla a condutividade do canal.
