¿Cuál es la diferencia entre JFET y MOSFET?
- en el mosfet la compuerta está aislada del drenaje y de la fuente
- en jfet, la compuerta no está aislada del drenaje ni de la fuente
El voltaje de la red que corta el flujo de corriente entre el drenaje y la fuente se llama tensión de pellizco y es un parámetro importante. El Mosfet es un tipo especial de Fet cuya puerta está aislada del canal principal que transporta la corriente. También se le llama igfet o transistor de efecto de campo de puerta aislada.
jfet es el transistor de efecto de campo de unión que solo funciona con la capa de agotamiento. La compuerta no está aislada de la fuente y el drenaje. Alta resistencia al drenaje. La corriente de fuga de la compuerta jfet es del orden de nano amperios.
Mosfet es el transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico. Comparado con jfet, mosfet tiene una alta impedancia de entrada. El funcionamiento tanto del modo de amplificación como del de mejora. La puerta está aislada de la fuente y del desagüe. Comparado con el efecto capacitivo.
un jfet es un transistor en modo de agotamiento. una unión en la unión de diodos entre la puerta y el canal. Usando un jfet de canal n como ejemplo, cuando la unión del diodo de compuerta tiene polarización inversa, la conductividad del canal entre el drenaje y la fuente disminuye. El proceso de polarización inversa de la puerta significa que su voltaje es más negativo que el de la fuente e incluso más negativo que el del drenaje. Se puede alcanzar un punto durante el proceso de polarización inversa en el que el campo eléctrico producido por la compuerta detiene la conductividad del canal y se corta cualquier corriente circulante.
Un mosfet suele ser un transistor de mejora de modo. Los tipos de modo de agotamiento son mucho más raros. un mosfet es muy parecido a un jfet. Una gran diferencia es que la puerta está muy aislada del canal. el aislamiento puede dañarse si el voltaje se vuelve demasiado positivo o negativo con respecto a la fuente.
1. Los efectos solo se pueden usar en modo de agotamiento, mientras que los mosfets se pueden usar en modo de agotamiento o mejora. En un jfet, si la puerta tiene polarización directa, se produce un exceso de portadora y la corriente de la puerta es grande. por lo tanto, la conductancia del canal mejora hasta cierto punto debido al exceso de portadora, pero el dispositivo nunca se usa con una puerta polarizada en vivo, porque la corriente de la puerta no es deseable.
2. Los mosets tienen una impedancia de entrada mucho mayor que la de los jets. esto se debe a una corriente de fuga insignificante.
3.Son curvas características más planas que los mosfets, lo que indica una mayor resistencia del drenaje. Cuando se opera con polarización inversa en la unión, la corriente de red ig es mayor que la que sería en el caso de un mosfet comparable. la corriente causada por la extracción de portadores minoritarios en una unión polarizada inversa es mayor, por unidad de área, que la corriente de fuga soportada por la capa de óxido en un mosfet. por tanto, los dispositivos Mosfet son más útiles en aplicaciones electrométricas que los jets.
en comparación con los jfet, los mosfets son más fáciles de fabricar.
Los jfets se explotan sólo en el modo de agotamiento. El mosfet de tipo agotamiento se puede explotar tanto en modo de agotamiento como en modo de mejora.
las características de salida del jfet son más planas que las del mosfet, porque la resistencia de drenaje en el jfet (1 m ??) es mayor que la del mosfet (50k ??)
la corriente de fuga de la puerta de jfet es del orden de nanoamperios. para el mosfet, la corriente de fuga de la red estará en picoamperios.
¿La resistencia de entrada de jfet es de alrededor de 10 ^ 8? para el mosfet, la resistencia de entrada estará en el rango de 10^10 a 10^15??.
Debido a sus ventajas, los mosfets se utilizan ampliamente en circuitos virtuales en comparación con los jfets. Como el Mosfet está sujeto a voltajes de sobrecarga, se debe tener especial cuidado durante la instalación.
Mosfet tiene un voltaje de compensación cero. los terminales de fuente y drenaje se pueden intercambiar (esto se llama dispositivo simétrico). Debido a estas dos características, el MOSFET se usa ampliamente en la conmutación de señales analógicas.
En un jfet, el campo eléctrico transversal a través de la unión pn con polarización inversa controla la conductividad del canal. En un mosfet, el campo eléctrico transversal inducido a través de una capa aislante depositada sobre el material semiconductor controla la conductividad del canal.
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