Tranzystory JFET (złączowe tranzystory polowe) nazywane są urządzeniami kontrolującymi napięcie, ponieważ ich przewodność między zaciskami źródła i drenu jest kontrolowana przede wszystkim przez napięcie przyłożone do zacisku bramki względem źródła. W przeciwieństwie do tranzystorów bipolarnych (BJT), które są urządzeniami sterowanymi prądem, tranzystory JFET działają w oparciu o pole elektryczne generowane przez napięcie bramka-źródło. Zmieniając napięcie bramka-źródło, można modulować szerokość kanału przewodzącego między źródłem a drenem, kontrolując w ten sposób przepływ prądu przez tranzystor. To zależne od napięcia zachowanie pozwala tranzystorom JFET działać jako rezystory zmienne, wzmacniacze i przełączniki w obwodach elektronicznych, w których precyzyjna kontrola napięcia ma kluczowe znaczenie dla wydajności.
Urządzenie sterowane napięciem, ogólnie rzecz biorąc, to dowolny element elektroniczny lub urządzenie, którego właściwości elektryczne, takie jak przewodność lub impedancja, są kontrolowane głównie przez przyłożone do niego napięcie. W przypadku tranzystorów JFET napięcie bramki-źródła bezpośrednio wpływa na przewodność kanału, co czyni go klasycznym przykładem urządzenia sterowanego napięciem. Ta cecha sprawia, że tranzystory JFET nadają się do zastosowań, w których sygnały napięciowe muszą być wzmacniane, modulowane lub przełączane z dużą precyzją i minimalnymi zniekształceniami.
Kontrola napięcia JFET odnosi się do możliwości regulowania przepływu prądu przez urządzenie poprzez regulację napięcia bramki-źródła. Kiedy do bramki zostanie przyłożone napięcie dodatnie w stosunku do źródła w tranzystorze JFET z kanałem N (lub napięcie ujemne w tranzystorze JFET z kanałem P), tworzy się pole elektryczne, które osłabia lub wzmacnia kanał przewodzący pomiędzy źródłem a drenem. Ta modulacja przewodności kanału umożliwia precyzyjną kontrolę nad ilością prądu przepływającego przez tranzystor, co czyni go wszechstronnym elementem obwodów elektronicznych wymagających operacji sterowanych napięciem.
Tranzystory FET (tranzystory polowe), w tym JFET i MOSFET (FET metalowo-tlenkowo-półprzewodnikowe), są często określane jako urządzenia jednobiegunowe sterowane napięciem, ponieważ ich działanie jest kontrolowane głównie przez sygnały napięciowe i obejmuje ruch głównie jednego rodzaju ładunku nośnik (elektrony lub dziury). W przeciwieństwie do BJT, które są urządzeniami bipolarnymi, w których przewodzeniu prądu uczestniczą zarówno elektrony, jak i dziury, tranzystory FET opierają się na polu elektrycznym generowanym przez napięcie bramki-źródła w celu kontrolowania przepływu elektronów (w tranzystorach FET z kanałem N) lub dziur (w tranzystorach FET z kanałem N) FET z kanałem P). To jednobiegunowe zachowanie upraszcza ich działanie i czyni je skutecznymi w zastosowaniach związanych ze wzmacnianiem napięcia i przełączaniem.
Tranzystory FET są powszechnie stosowane jako wzmacniacze napięcia ze względu na ich zdolność do dokładnego wzmacniania małych zmian w sygnałach napięcia wejściowego. W obwodach wzmacniających małe napięcie wejściowe przyłożone do bramki tranzystora FET może sterować większym prądem wyjściowym płynącym od źródła do drenu. Ta zdolność wzmacniania napięcia wynika ze zdolności tranzystora FET do kontrolowania przewodności kanału w oparciu o napięcie bramki-źródła, zapewniając wierne odtwarzanie sygnałów wejściowych przy wyższych amplitudach bez znaczących zniekształceń. W rezultacie tranzystory FET są szeroko stosowane we wzmacniaczach audio, obwodach przetwarzania sygnałów i systemach komunikacyjnych, gdzie precyzyjne wzmocnienie napięcia jest niezbędne do utrzymania integralności i wierności sygnału.
