Obszar triody w MOSFET-ie odnosi się do jednego z jego trybów pracy, w którym tranzystor zachowuje się podobnie do triodowej lampy próżniowej. W tym obszarze MOSFET działa w oparciu o liniową zależność pomiędzy prądem drenu (I_D) a napięciem dren-źródło (V_DS), podobnie jak w przypadku rezystora. Tranzystor jest zwykle w stanie nasycenia podczas pracy w tym obszarze, co oznacza, że napięcie dren-źródło jest mniejsze niż napięcie bramki-źródło pomniejszone o napięcie progowe (V_GS – V_th). W obszarze triody prąd drenu jest kontrolowany głównie przez napięcie bramka-źródło (V_GS) i napięcie dren-źródło (V_DS).
Termin „obszar triody” wywodzi się z terminologii lamp próżniowych, gdzie lampa triodowa wykazuje również liniową zależność między prądem anodowym i napięciem anodowym podczas pracy w podobnym trybie. W obu przypadkach termin „trioda” oznacza liniową zależność między charakterystyką prądu i napięcia.
Tranzystory MOSFET zazwyczaj działają w trzech odrębnych obszarach: odcięcia, triody (lub omowej) i nasycenia. W obszarze odcięcia tranzystor jest zasadniczo wyłączony i pomiędzy drenem a źródłem prądu nie przepływa bardzo niewielki prąd lub nie przepływa on wcale. W obszarze nasycenia MOSFET zachowuje się jak zamknięty przełącznik, umożliwiając przepływ znacznej ilości prądu pomiędzy drenem a źródłem bez większych zmian napięcia. Obszar triody leży pomiędzy tymi dwoma skrajnościami, gdzie MOSFET działa w trybie liniowym, podobnie jak rezystor, a prąd zmienia się liniowo wraz z napięciem.
Obszar omowy lub triodowy jest istotny w obwodach MOSFET, gdzie konieczna jest precyzyjna liniowa kontrola prądu, na przykład we wzmacniaczach analogowych i innych zastosowaniach liniowych. Zrozumienie i kontrolowanie działania tranzystora w tym obszarze jest niezbędne do projektowania obwodów wymagających precyzyjnych zależności napięcie-prąd i zapewnienia optymalnej wydajności w różnych warunkach pracy.