Tranzystor polowy (FET) to typ tranzystora, który wykorzystuje pole elektryczne do kontrolowania przewodności kanału w materiale półprzewodnikowym. Działa w oparciu o zasadę modulowania napięcia przyłożonego do końcówki bramki, co z kolei zmienia przewodność pomiędzy końcówkami źródła i drenu. Dzięki temu tranzystory FET mogą działać jako wzmacniacze lub przełączniki w obwodach elektronicznych, oferując wysoką impedancję wejściową i niską impedancję wyjściową w porównaniu z innymi typami tranzystorów, takimi jak BJT.
Termin „FET” odnosi się do kategorii tranzystorów charakteryzujących się sposobem działania obejmującym pole elektryczne („efekt pola”) w celu kontrolowania przepływu prądu. To odróżnia je od tranzystorów bipolarnych (BJT), które opierają się na ruchu nośników ładunku (elektronów i dziur) przez materiał półprzewodnikowy.
Tranzystory FET działają poprzez przyłożenie napięcia do końcówki bramki, co wytwarza pole elektryczne na cienkiej warstwie półprzewodnika (zwykle krzemu). To pole elektryczne kontroluje przewodność kanału pomiędzy zaciskami źródła i drenu. W zależności od typu tranzystora FET (takiego jak MOSFET lub JFET) kanał może zostać wzmocniony lub pozbawiony nośników ładunku, umożliwiając w ten sposób przepływ prądu lub go uniemożliwiając.
Nazwa „FET” odzwierciedla podstawową zasadę działania tych tranzystorów: kontrolę przepływu prądu przez pole elektryczne. W przeciwieństwie do BJT, które kontrolują prąd poprzez wstrzykiwanie nośników ładunku, tranzystory FET wykorzystują efekt pola, aby osiągnąć podobną funkcjonalność przy różnych charakterystykach działania. Ta konwencja nazewnictwa podkreśla unikalny mechanizm działania tranzystorów FET w porównaniu z innymi typami tranzystorów.