FET’s (Field-Effect Transistors) bieden verschillende voordelen ten opzichte van BJT’s (Bipolar Junction Transistors), waardoor ze in bepaalde toepassingen de voorkeur verdienen. Een belangrijk voordeel is hun hoge ingangsimpedantie, wat betekent dat ze zeer weinig stroom uit de stuurcircuits trekken. Deze eigenschap vermindert de belastingseffecten en zorgt ervoor dat FET’s effectiever kunnen communiceren met signaalbronnen met hoge impedantie zonder de signaalintegriteit aanzienlijk te beïnvloeden. BJT’s hebben daarentegen een lagere ingangsimpedantie, wat kan leiden tot meer stroomverbruik en potentiële signaalverslechtering in gevoelige circuits.
Vergeleken met BJT’s zijn FET’s ook voordelig in termen van thermische stabiliteit en betrouwbaarheid. Ze vertonen minder gevoeligheid voor thermische oververhitting, waarbij overmatige verwarming een toename van de stroomsterkte en verdere verwarming veroorzaakt, waardoor de transistor mogelijk wordt beschadigd. FET’s zijn inherent robuuster in het omgaan met hoge vermogensdissipatie en temperatuurvariaties, waardoor ze geschikt zijn voor toepassingen die een stabiele werking onder variërende omgevingsomstandigheden vereisen.
De beslissing om een FET te gebruiken in plaats van een BJT hangt vaak af van de specifieke vereisten van de toepassing. FET’s zijn vooral voordelig in circuits waar hoge ingangsimpedantie, laag stroomverbruik en minimale warmteontwikkeling prioriteiten zijn. Ze worden vaak gebruikt in versterkers met weinig ruis, hoogfrequente circuits en digitale schakelaars waarbij snelle responstijden en efficiënte werking essentieel zijn.
Het belangrijkste voordeel van FET’s ten opzichte van BJT’s ligt in hun hoge ingangsimpedantie en spanningsgestuurde werking. FET’s regelen de stroom op basis van de spanning die wordt toegepast op de poortterminal, terwijl BJT’s afhankelijk zijn van stroomregeling via de basisterminal. Door dit verschil kunnen FET’s met minimale ingangsstroom werken en hogere schakelsnelheden en efficiëntie bieden in vergelijking met BJT’s.
Het belangrijkste verschil tussen FET’s en BJT’s ligt in hun fundamentele werkingsprincipes en constructie. FET’s regelen de stroom door gebruik te maken van een elektrisch veld dat tot stand wordt gebracht door de spanning die wordt aangelegd op de gate-aansluiting, waardoor de geleidbaarheid tussen de source- en drain-aansluitingen wordt gemoduleerd. BJT’s regelen daarentegen de stroom door de injectie en diffusie van minderheidsdragers (elektronen of gaten) tussen de emitter-, basis- en collectorterminals. Dit verschil in werking heeft invloed op hun kenmerken, zoals ingangsimpedantie, snelheid en temperatuurstabiliteit, en beïnvloedt hun geschiktheid voor verschillende soorten elektronische circuits en toepassingen.