JFET’s (Junction Field-Effect Transistors) worden spanningsregelapparaten genoemd omdat hun geleidbaarheid tussen de source- en drain-terminals voornamelijk wordt geregeld door de spanning die wordt aangelegd op de gate-terminal ten opzichte van de source. In tegenstelling tot Bipolar Junction Transistors (BJT’s), die stroomgestuurde apparaten zijn, werken JFET’s op basis van het elektrische veld dat wordt gegenereerd door de poortbronspanning. Door deze gate-source-spanning te variëren, kan de breedte van het geleidende kanaal tussen de source en de drain worden gemoduleerd, waardoor de stroom door de transistor wordt geregeld. Door dit spanningsafhankelijke gedrag kunnen JFET’s functioneren als variabele weerstanden, versterkers en schakelaars in elektronische circuits waar nauwkeurige spanningsregeling cruciaal is voor de prestaties.
Een spanningsgestuurd apparaat is in grote lijnen elk elektronisch onderdeel of apparaat waarvan de elektrische kenmerken, zoals geleidbaarheid of impedantie, voornamelijk worden geregeld door de spanning die erop wordt toegepast. In het geval van JFET’s heeft de poortbronspanning rechtstreeks invloed op de geleidbaarheid van het kanaal, waardoor het een klassiek voorbeeld is van een spanningsgestuurd apparaat. Deze eigenschap maakt JFET’s geschikt voor toepassingen waarbij spanningssignalen met hoge precisie en minimale vervorming moeten worden versterkt, gemoduleerd of geschakeld.
De spanningsregeling van een JFET verwijst naar de mogelijkheid om de stroom door het apparaat te regelen door de poortbronspanning aan te passen. Wanneer een positieve spanning wordt aangelegd op de poort ten opzichte van de bron in een N-kanaal JFET (of een negatieve spanning in een P-kanaal JFET), creëert dit een elektrisch veld dat het geleidende kanaal tussen de bron en de afvoer uitput of versterkt. Deze modulatie van de geleidbaarheid van het kanaal maakt nauwkeurige controle mogelijk over de hoeveelheid stroom die door de transistor vloeit, waardoor deze een veelzijdig onderdeel wordt in elektronische circuits die spanningsgestuurde bewerkingen vereisen.
FET’s (Field-Effect Transistors), inclusief JFET’s en MOSFET’s (Metal-Oxide-Semiconductor FET’s), worden vaak spanningsgestuurde unipolaire apparaten genoemd omdat hun werking voornamelijk wordt bestuurd door spanningssignalen en de beweging van voornamelijk één type lading met zich meebrengt drager (elektronen of gaten). In tegenstelling tot BJT’s, dit zijn bipolaire apparaten waarbij zowel elektronen als gaten betrokken zijn bij hun stroomgeleiding, vertrouwen FET’s op het elektrische veld dat wordt gegenereerd door de poortbronspanning om de stroom van elektronen (in N-kanaal FET’s) of gaten (in P-kanaal FET’s). Dit unipolaire gedrag vereenvoudigt de werking ervan en maakt ze efficiënt voor spanningsversterking en schakeltoepassingen.
FET’s worden vaak gebruikt als spanningsversterkers vanwege hun vermogen om kleine variaties in ingangsspanningssignalen nauwkeurig te versterken. In versterkingscircuits kan een kleine ingangsspanning die wordt aangelegd op de gate van een FET een grotere uitgangsstroom regelen die van de source naar de drain vloeit. Dit spanningsversterkingsvermogen komt voort uit het vermogen van de FET om de geleiding van het kanaal te regelen op basis van de poort-bronspanning, waardoor wordt gegarandeerd dat ingangssignalen getrouw worden gereproduceerd bij hogere amplitudes zonder significante vervorming. Als gevolg hiervan worden FET’s op grote schaal gebruikt in audioversterkers, signaalverwerkingscircuits en communicatiesystemen waarbij nauwkeurige spanningsversterking essentieel is voor het handhaven van de signaalintegriteit en -getrouwheid.