We kunnen geen transistor maken door simpelweg twee diodes rug aan rug te verbinden, omdat transistors en diodes op basis van fundamenteel verschillende principes functioneren. Een transistor is een halfgeleiderapparaat met drie aansluitingen dat elektronische signalen kan versterken of schakelen en de stroom kan regelen. Het bestaat uit drie lagen: emitter, basis en collector, elk verschillend gedoteerd (NPN- of PNP-configuratie). Transistors vertrouwen op het principe van minderheidsdraaggolfinjectie en -controle via het basisgebied, wat versterking en schakelmogelijkheden mogelijk maakt die niet haalbaar zijn met alleen twee diodes. Het met de ruggen tegen elkaar verbinden van twee diodes biedt niet de noodzakelijke structuur of besturingsmechanismen om het gedrag en de functies van een transistor te repliceren.
Wanneer twee diodes rug aan rug worden aangesloten, heffen ze elkaar feitelijk op in termen van elektrische geleiding. Deze configuratie vormt een zogenaamde “diode-verbonden transistor”, waarbij de kathode van de ene diode is verbonden met de anode van de andere diode. In deze opstelling gedraagt de gecombineerde structuur zich als een enkele diode vanwege het opheffen van de voorwaartse en achterwaartse voorspanningskarakteristieken van de diodes. Het resulterende elektrische gedrag is vergelijkbaar met dat van een enkele diode met een hogere doorslagspanning, maar vertoont niet de versterkings- of schakelkarakteristieken van een transistor.
Een transistor kan niet worden vervangen door simpelweg twee diodes te gebruiken, omdat hun functionaliteiten fundamenteel verschillend zijn. Een transistor werkt als een actief halfgeleiderapparaat dat kan versterken en schakelen, waarbij de stroom tussen de aansluitingen wordt geregeld op basis van de voorspanning van het basisgebied. Diodes daarentegen zijn passieve apparaten die stroom slechts in één richting laten stromen en niet de noodzakelijke mechanismen bieden voor signaalversterking of stroomregeling zoals transistors dat doen. Een poging om een transistor te vervangen door twee diodes zou de functionaliteit of prestatiekenmerken van de transistor niet repliceren.
Een PNP-transistor (positief-negatief-positief) kan niet rechtstreeks uit twee diodes worden geconstrueerd, omdat de werking van een transistor afhankelijk is van specifieke doteringsconfiguraties en junctieplaatsingen die niet worden gerepliceerd door simpelweg twee diodes met elkaar te verbinden. Een PNP-transistor bestaat uit drie lagen: een N-type emitter, een P-type basis en een N-type collector (in tegenstelling tot een NPN-transistor, die een P-type basis en een N-type emitter en collector heeft). Deze lagen zijn zorgvuldig gerangschikt om de stroomstroom te regelen en de versterkings- of schakelmogelijkheden te bieden die inherent zijn aan transistors. Het met de ruggen tegen elkaar verbinden van twee afzonderlijke PN-junctiediodes repliceert niet de noodzakelijke dopingprofielen en besturingsmechanismen die nodig zijn om een PNP-transistor goed te laten functioneren.
Twee afzonderlijke PN-junctiediodes die rug aan rug zijn geplaatst, kunnen niet worden gebruikt om een PNP-transistor te vormen, omdat de structuur en werking van een transistor specifieke doteringsprofielen en fysieke configuraties vereisen die diodes niet inherent bezitten. Een PNP-transistor is gestructureerd met drie lagen: een N-type emitter, een P-type basis en een N-type collector, gerangschikt in een specifieke volgorde om de versterkings- en schakelmogelijkheden van de transistor mogelijk te maken. Het simpelweg met de ruggen tegen elkaar plaatsen van twee diodes levert niet de noodzakelijke configuratie- of besturingsmechanismen op voor stroomversterking of -regeling, wat essentiële functies van een transistor zijn. Hoewel diodes en transistors beide halfgeleiderapparaten zijn die zijn gebaseerd op PN-overgangen, dienen ze daarom verschillende doeleinden en kunnen ze niet uitwisselbaar zijn in termen van hun functionele rollen en toepassingen.