Les transistors NMOS (N-channel Metal-Oxide-Semiconductor) et PMOS (P-channel Metal-Oxide-Semiconductor) sont des types de MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) avec différents types de dopage de canal. Les transistors NMOS ont un canal de type N (conducteur d’électrons), tandis que les transistors PMOS ont un canal de type P (conducteur de trous). La technologie CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) utilise les transistors NMOS et PMOS de manière complémentaire pour obtenir une faible consommation d’énergie et une meilleure immunité au bruit dans les circuits intégrés.
La logique NMOS utilise uniquement des transistors NMOS pour implémenter des portes et des circuits logiques. Il s’appuie sur le comportement des transistors NMOS pour abaisser les tensions de sortie vers la masse (logique basse). La logique CMOS, quant à elle, utilise des transistors NMOS et PMOS disposés de manière complémentaire. Il exploite les transistors NMOS pour abaisser les tensions de sortie et les transistors PMOS pour augmenter les tensions de sortie vers la tension d’alimentation (logique haute), ce qui entraîne une consommation d’énergie inférieure par rapport à la logique NMOS.
Nmosfet (MOSFET à canal N) et Pmosfet (MOSFET à canal P) font référence au type de MOSFET basé sur le dopage de la région du canal. Nmosfet possède un canal de type N et conduit les électrons lorsqu’une tension positive est appliquée à la grille par rapport à la source. Le Pmosfet possède un canal de type P et conduit des trous lorsqu’une tension négative est appliquée à la grille par rapport à la source. Ils présentent différentes caractéristiques électriques et sont utilisés dans différentes applications en fonction des exigences du circuit.
La technologie BJT (Bipolar Junction Transistor) et les technologies NMOS et CMOS sont des technologies de transistors fondamentalement différentes. BJT utilise des jonctions bipolaires (jonctions PN) pour contrôler le flux de courant à travers le dispositif, tandis que les technologies NMOS et CMOS utilisent les principes de l’effet de champ pour contrôler le courant à travers un canal semi-conducteur. La technologie BJT est plus ancienne et consomme généralement plus d’énergie que la technologie CMOS, largement utilisée dans les circuits intégrés modernes en raison de sa faible consommation d’énergie et de son évolutivité.
CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) est une technologie utilisée pour mettre en œuvre des circuits intégrés où des transistors NMOS et PMOS sont utilisés. La technologie CMOS exploite le comportement complémentaire des transistors NMOS et PMOS pour obtenir une faible consommation d’énergie et une immunité élevée au bruit. Le MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) est l’élément de base de la technologie CMOS, faisant spécifiquement référence au type de transistor utilisé dans les circuits CMOS.