Un MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es un tipo de transistor que se utiliza para amplificar o conmutar señales electrónicas. Controla el flujo de corriente entre dos terminales (la fuente y el drenaje) mediante un tercer terminal (la compuerta), que está aislado del canal conductor principal por una fina capa de óxido. Cuando se aplica un voltaje a la compuerta, se crea un campo eléctrico que modifica la conductividad del canal, permitiendo o impidiendo el flujo de corriente. Los MOSFET se utilizan ampliamente en circuitos digitales y analógicos, administración de energía y amplificación.
Un MOSFET funciona según el principio de controlar la conductividad de un canal semiconductor mediante un campo eléctrico. Este campo es generado por el voltaje aplicado al terminal de la puerta, que está separado del canal por una fina capa aislante de dióxido de silicio. El voltaje de compuerta influye en la concentración de electrones o huecos en el canal, regulando así el flujo de corriente entre los terminales de fuente y drenaje. La capacidad de controlar este flujo de corriente con una corriente de compuerta mínima es lo que hace que los MOSFET sean altamente eficientes y versátiles.
El e MOSFET (MOSFET en modo de mejora) funciona mejorando la conductividad del canal en respuesta al voltaje de la puerta. En un MOSFET e de canal n, cuando se aplica un voltaje positivo a la puerta, atrae electrones hacia la puerta, formando un canal conductor entre la fuente y el drenaje. Esto permite que la corriente fluya a través del dispositivo. Por el contrario, en un MOSFET e de canal p, un voltaje de compuerta negativo atrae agujeros para formar el canal conductor. Sin el voltaje de la puerta, el canal no es conductor, lo que significa que el MOSFET normalmente está apagado.
Un ejemplo de MOSFET es el IRF540N, que es un MOSFET de modo de mejora de canal n comúnmente utilizado en aplicaciones de electrónica de potencia. Puede manejar altas corrientes y voltajes, lo que lo hace adecuado para circuitos de suministro de energía, controladores de motores y reguladores de conmutación. El IRF540N es conocido por su baja resistencia y sus capacidades de conmutación rápida, que mejoran la eficiencia de los dispositivos en los que se utiliza.
El efecto del cuerpo en un MOSFET se refiere a la influencia de la diferencia de voltaje entre el cuerpo (o sustrato) y el terminal fuente en el voltaje umbral del MOSFET. Cuando esta diferencia de voltaje cambia, altera el voltaje umbral, que es el voltaje de compuerta mínimo requerido para crear un canal conductor entre la fuente y el drenaje. El efecto del cuerpo puede afectar el rendimiento del MOSFET al modificar las características del canal, como su conductividad y comportamiento de conmutación. Este efecto es particularmente importante en circuitos integrados donde el cuerpo suele estar conectado a un potencial fijo.