La polarización directa e inversa se refiere a las dos condiciones operativas básicas de un diodo semiconductor, como un diodo de unión PN. En polarización directa, el diodo está conectado de tal manera que el terminal positivo de la fuente de voltaje está conectado al material tipo P (ánodo) y el terminal negativo al material tipo N (cátodo). Esta configuración permite que la corriente fluya fácilmente a través del diodo, ya que el voltaje aplicado reduce la barrera de potencial entre las regiones P y N, lo que permite que los portadores mayoritarios (electrones en la región N y huecos en la región P) se muevan a través de la unión.
Por el contrario, en polarización inversa, el diodo está conectado con el terminal positivo de la fuente de voltaje al material tipo N (cátodo) y el terminal negativo al material tipo P (ánodo). Esta disposición aumenta la barrera potencial en el cruce, evitando que los transportistas mayoritarios crucen el cruce fácilmente. Como resultado, sólo una pequeña corriente de fuga (debido a portadores minoritarios) fluye a través del diodo en polarización inversa y el diodo actúa como aislante.
Un diodo tiene polarización directa cuando está polarizado de manera que permite que la corriente fluya a través de él fácilmente. Esto significa que el diodo está conectado de tal manera que el voltaje aplicado a través de él reduce el ancho de la capa de agotamiento, permitiendo el paso de la corriente debido al movimiento del portador mayoritario.
La polarización se refiere a la aplicación de un voltaje de CC para establecer una condición operativa específica para componentes electrónicos como diodos y transistores. Para los diodos, la polarización determina si el diodo opera en polarización directa (estado conductor) o polarización inversa (estado no conductor o de bloqueo). La polarización adecuada es crucial para garantizar que los circuitos electrónicos funcionen correcta y eficientemente.
Un diodo PN, o simplemente un diodo, consiste en una unión PN formada por dopaje de material semiconductor con impurezas de tipo P (cargada positivamente) y tipo N (cargada negativamente). Esto crea una región donde los electrones (portadores mayoritarios en el tipo N) y los huecos (portadores mayoritarios en el tipo P) se combinan para formar una zona de agotamiento o una región desprovista de portadores de carga móviles cuando no se aplica voltaje externo. Cuando se aplica una polarización directa, el diodo conduce la corriente fácilmente debido al ancho reducido de la capa de agotamiento, mientras que la polarización inversa evita un flujo de corriente significativo, excepto por una pequeña corriente de fuga.