En un diodo de unión PN, la corriente de saturación inversa se debe al flujo de difusión de los electrones minoritarios desde la parte p a la parte n y los huecos menores desde el lado N al lado lateral P.
La corriente invertida ocurre cuando hay un voltaje más alto en la salida de un sistema que en la entrada, lo que hace que la corriente regrese a través del sistema.
Hay dos fuentes comunes de voltaje inverso:
(1) cuando se desconecta la alimentación de un sistema.
(2) cuando el diodo del cuerpo FET se polariza al frente.
Cuando se invierte el diodo, el ancho del área de agotamiento aumenta, la mayoría de los vectores se eliminan de la unión y no hay corriente debido a los vectores mayoritarios, pero también hay pares de electrones producidos térmicamente.
Si estos electrones y estos huecos se generan cerca de la unión, entonces hay un flujo de corriente. El voltaje negativo aplicado al diodo tiende a atraer los huecos así generados y a rechazar los electrones.
Al mismo tiempo, el voltaje positivo atraerá los electrones hacia la batería y rechazará los huecos.
Esto hará que la corriente fluya hacia el circuito. Esta corriente suele ser muy pequeña (de micro a nano amperios).
Debido a que esta corriente se debe a portadores minoritarios y este número de portadores minoritarios se establece en una temperatura determinada, la corriente se conoce casi constantemente como corriente de saturación inversa ICO.
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