BJTs (Bipolar Junction Transistors) werden in VLSI-Designs (Very Large Scale Integration) normalerweise nicht verwendet, vor allem aufgrund ihres höheren Stromverbrauchs und niedrigeren Schaltgeschwindigkeiten im Vergleich zu MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors). VLSI-Schaltkreise erfordern Millionen bis Milliarden von Transistoren, die auf einem einzigen Chip integriert sind, und MOSFETs zeichnen sich in diesem Bereich aufgrund ihrer geringeren Verlustleistung pro Transistor und ihrer Fähigkeit, mit höheren Geschwindigkeiten zu arbeiten, aus. MOSFETs verbrauchen nur minimal Strom, wenn sie nicht den Zustand wechseln, wodurch sie besser für Anwendungen geeignet sind, die eine hohe Integrationsdichte und einen geringen Stromverbrauch erfordern, was bei modernen VLSI-Designs von entscheidender Bedeutung ist.
Während MOSFETs und BJTs ähnliche Funktionen wie elektronische Schalter und Verstärker erfüllen, unterscheiden sie sich erheblich in ihren Funktionsprinzipien und Eigenschaften. MOSFETs werden für Schaltanwendungen im Allgemeinen gegenüber BJTs bevorzugt, da sie eine höhere Schaltgeschwindigkeit, einen geringeren Stromverbrauch und eine einfache Integration in VLSI-Schaltungen aufweisen. Im Gegensatz dazu arbeiten BJTs als stromgesteuerte Geräte mit höherer Verlustleistung und langsameren Schaltgeschwindigkeiten, was ihre Eignung für digitale Hochgeschwindigkeitsschaltungen, die typischerweise in VLSI-Designs zu finden sind, einschränkt.
MOSFETs werden gegenüber BJTs zum Ein- und Ausschalten von Gleichstrommotoren bevorzugt, vor allem wegen ihrer Fähigkeit, hohe Ströme effizient und ohne nennenswerten Leistungsverlust zu bewältigen. MOSFETs können schnell ein- und ausgeschaltet werden, was eine präzise Steuerung des Motorbetriebs ermöglicht und die Wärmeableitung im Transistor selbst reduziert. Im Gegensatz dazu benötigen BJTs mehr Strom zur Steuerung ihres Betriebs und weisen im leitenden Zustand höhere Spannungsabfälle auf, was bei der Verwendung in Motorsteuerungsanwendungen zu einem höheren Leistungsverlust und einer verringerten Effizienz führt.
Während MOSFETs in vielen Anwendungen zahlreiche Vorteile gegenüber BJTs bieten, haben sie im Vergleich zu BJTs auch einige Nachteile. Ein Nachteil besteht darin, dass MOSFETs typischerweise eine höhere Eingangskapazität haben, was sich auf die Hochfrequenzleistung auswirken kann und zusätzliche Überlegungen zum Schaltungsdesign erfordert, um Schaltverluste zu minimieren. Darüber hinaus können MOSFETs im Vergleich zu BJTs anfälliger für Schäden durch elektrostatische Entladung (ESD) sein. Trotz dieser Nachteile haben Fortschritte in der Halbleitertechnologie die Leistung von MOSFETs kontinuierlich verbessert und sie zur bevorzugten Wahl in den meisten modernen elektronischen Schaltkreisen und Anwendungen gemacht, bei denen ein hoher Wirkungsgrad, ein geringer Stromverbrauch und schnelle Schaltgeschwindigkeiten entscheidend sind.