Warum ist der Basisbereich eines NPN-Transistors dünn und leicht?
Der Basisbereich eines NPN-Transistors ist dünn und leicht dotiert, um einen effizienten Transistorbetrieb zu gewährleisten und eine hohe Stromverstärkung (β) zu erreichen. Bei einem NPN-Transistor dient die Basis als Steueranschluss, der den Stromfluss vom Emitter zum Kollektor moduliert. Durch die dünne und leicht dotierte Basisregion weist der Basis-Emitter-Übergang des Transistors eine niedrige Kapazität und einen … Weiterlesen