El efecto del cuerpo cambia la corriente de drenaje en un MOSFET al alterar el voltaje umbral. Cuando hay una diferencia de voltaje entre el cuerpo (sustrato) y la fuente, el voltaje umbral aumenta. Esto significa que se requiere un voltaje de puerta a fuente (VGS) más alto para encender el MOSFET y permitir que la corriente fluya desde el drenaje a la fuente. A medida que aumenta el voltaje umbral debido al efecto del cuerpo, la corriente de drenaje disminuye porque se reduce el VGS efectivo (VGS – Vth). Este efecto puede provocar variaciones en el rendimiento del MOSFET, especialmente en circuitos analógicos y circuitos integrados donde el control preciso de la corriente es crucial.
El voltaje de puerta a fuente (VGS) afecta la corriente de drenaje en un MOSFET al controlar la formación del canal conductor entre la fuente y el drenaje. Para un MOSFET de canal n, cuando VGS excede el voltaje umbral (Vth), se forma un canal y permite que fluya la corriente. Cuanto mayor sea el VGS por encima del umbral, más fuerte será el canal y mayor será la corriente de drenaje. En la región lineal, la corriente de drenaje aumenta linealmente con VGS, mientras que en la región de saturación, la corriente de drenaje aumenta de manera menos pronunciada y está determinada principalmente por VGS y las características físicas del MOSFET.
Para aumentar la corriente de drenaje en un MOSFET, puede aumentar el voltaje de puerta a fuente (VGS) por encima del voltaje umbral, lo que fortalece el canal conductor y permite que fluya más corriente desde el drenaje a la fuente. Otro método es reducir la resistencia en las conexiones de fuente o drenaje, lo que puede mejorar el flujo de corriente general. Además, el uso de un MOSFET con un voltaje de umbral más bajo o una transconductancia más alta también puede generar una corriente de drenaje más alta para un VGS determinado.
El cuerpo de los MOSFET se utiliza para influir en el voltaje umbral y controlar el comportamiento del dispositivo. El cuerpo (o sustrato) se puede conectar al terminal fuente en MOSFET discretos, minimizando el efecto del cuerpo. En los circuitos integrados, el cuerpo suele estar conectado a un potencial común, como tierra para los MOSFET de canal n o una tensión de alimentación positiva para los MOSFET de canal p. El cuerpo puede afectar las características del dispositivo, como el voltaje umbral y las corrientes de fuga, y es un factor importante en el diseño y optimización de circuitos basados en MOSFET.
El efecto de la temperatura sobre la corriente de drenaje del MOSFET es significativo. A medida que aumenta la temperatura, la movilidad de los portadores de carga (electrones en el canal n y huecos en los MOSFET del canal p) disminuye, lo que reduce la corriente de drenaje. Además, el voltaje umbral de un MOSFET generalmente disminuye al aumentar la temperatura, lo que puede compensar ligeramente la reducción de la movilidad al facilitar la formación del canal conductor. Sin embargo, el efecto neto suele ser una disminución de la corriente de drenaje a temperaturas más altas debido a la reducción de la movilidad del portador. Las variaciones de temperatura también pueden afectar otros parámetros, como las corrientes de fuga y las velocidades de conmutación, lo que afecta el rendimiento general del MOSFET.