Das Testen eines Transistors erfordert mehrere Methoden, um die ordnungsgemäße Funktionalität sicherzustellen. Eine gängige Methode ist die Verwendung eines Multimeters im Diodentestmodus. Um einen Bipolartransistor (BJT) zu testen, platzieren Sie die Multimetersonden an den Basis- und Kollektorleitungen und beobachten den Spannungsabfall. Dann vertauschen Sie die Sonden und prüfen die andere Verbindung (Basis-Emitter). Bei ordnungsgemäßem Betrieb zeigt sich bei Silizium-BJTs ein Spannungsabfall von etwa 0,6 V bis 0,7 V in einer Richtung und ein hoher Widerstand oder ein offener Stromkreis in der umgekehrten Richtung. Bei Feldeffekttransistoren (FETs) messen Sie den Widerstand zwischen den Gate- und Source/Drain-Anschlüssen, um die ordnungsgemäßen Leitungspfade zu überprüfen.
Um festzustellen, ob ein Transistor fehlerhaft ist, sind einige Indikatoren erforderlich. Mit einem Multimeter im Diodentestmodus können Sie jeden Übergang (Basis-Emitter, Basis-Kollektor für BJTs; Gate-Source, Gate-Drain für FETs) auf Kurzschlüsse oder offene Schaltkreise prüfen. Ein Transistor ist wahrscheinlich defekt, wenn beide Richtungen einen niedrigen Widerstand oder Durchgang aufweisen, was auf einen Kurzschluss hindeutet. Darüber hinaus kann die Verwendung eines Transistortesters detailliertere Messwerte zu Verstärkung und Verlust liefern und so fehlerhafte Transistoren identifizieren, die unerwartete Messwerte zeigen oder während des Tests keine Reaktion zeigen.
Es gibt zwei Hauptmethoden zum Testen von Transistoren: statische und dynamische Tests. Bei statischen Tests wird ein Multimeter oder Transistortester verwendet, um die Gleichstromparameter des Transistors zu messen, wie z. B. Durchlassspannungsabfälle und Widerstandswerte zwischen Anschlüssen. Bei dynamischen Tests werden unterschiedliche Signale an die Anschlüsse des Transistors angelegt, um dessen Reaktion zu beobachten und Parameter wie Verstärkung, Frequenzgang und Schalteigenschaften zu bewerten. Beide Methoden sind für umfassende Tests unerlässlich, um den ordnungsgemäßen Betrieb sicherzustellen und Fehler genau zu diagnostizieren.
Das Testen eines kurzgeschlossenen Transistors erfordert sorgfältige Beobachtung und Diagnosewerkzeuge. Überprüfen Sie mit einem Multimeter im Diodentestmodus jede Verbindung (Basis-Emitter, Basis-Kollektor für BJTs; Gate-Source, Gate-Drain für FETs) auf unerwartet niedrigen Widerstand oder Durchgang in beide Richtungen. Ein kurzgeschlossener Transistor zeigt typischerweise in beiden Richtungen an den betroffenen Übergängen einen niedrigen Widerstand oder einen Messwert nahe Null. Darüber hinaus kann die Verwendung eines Transistortesters oder eines Oszilloskops dabei helfen, abnormales Verhalten oder das Ausbleiben der erwarteten Reaktion während dynamischer Tests zu bestätigen, was auf einen Kurzschluss oder einen internen Fehler im Transistor hinweist.