Kondansatörler AC gücünü, DC gücünü depoladıkları gibi depolayamazlar. Kondansatörler, plakalarına voltaj uygulandığında enerjiyi bir elektrik alanında depolar. DC gücü için bu, sabit bir yük birikmesiyle sonuçlanır. Bununla birlikte, AC gücü için voltaj sürekli olarak yön değiştirerek kapasitörün sürekli şarj olmasına ve deşarj olmasına neden olur. Bu nedenle, bir kapasitör her yarım döngü sırasında geçici olarak … Devamını oku
Transistörler AC sinyalleriyle çalışabilir. Çeşitli elektronik devrelerdeki alternatif akım (AC) sinyallerini yükseltebilir veya değiştirebilirler. Amplifikatör olarak kullanıldığında, transistörler küçük bir AC giriş sinyali alır ve daha büyük bir AC çıkış sinyali üretir, dalga şekli şeklini korur ancak genliğini arttırır. Anahtarlar olarak transistörler, AC giriş sinyaline yanıt olarak hızlı bir şekilde açılıp kapanabilir ve güç elektroniği … Devamını oku
Kondansatörlerin kendisi geleneksel anlamda güç tüketmez çünkü dirençler veya elektrik enerjisini ısıya veya diğer formlara dönüştüren diğer elementler gibi enerjiyi dağıtmazlar. Bunun yerine kapasitörler elektrik enerjisini plakaları arasındaki elektrik alanında geçici olarak depolar. Bir kapasitör şarj olduğunda veya deşarj olduğunda, kapasitör ile devre arasında bir enerji alışverişi olur. Şarj sırasında enerji, kapasitörün elektrik alanında depolanır … Devamını oku
PNP transistörleri, vericiye göre tabana negatif bir voltaj uygulandığında akımın vericiden toplayıcıya akmasına izin verdikleri için kullanılır. Bu konfigürasyon özellikle transistörü pozitif voltaj yerine negatif voltajla kontrol etmenin daha kolay olduğu devrelerde kullanışlıdır. Genellikle, daha küçük giriş sinyalleriyle büyük akımları etkili bir şekilde kontrol edebildikleri amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılırlar. PNP transistörü elektronik devrelerde akımın … Devamını oku
Bir transistörün Q noktası (hareketsiz nokta), transistörün hiçbir giriş sinyali uygulanmadan sabit bir durumda çalıştığı çalışma noktasını ifade eder. Transistörün uygun şekilde öngerilimlendiğinde çalıştığı DC koşullarını temsil eder. Bipolar Bağlantı Transistörü (BJT) için, Q noktası tipik olarak hiçbir AC sinyali mevcut olmadığında transistörün terminallerindeki (taban, verici ve toplayıcı) DC voltajları ve akımları tarafından tanımlanır. Bu … Devamını oku
Transistörlerde öngerilim, transistörün amplifikasyon için doğrusal bölgesinde veya istenen anahtarlama bölgesinde çalıştığı çalışma noktasını veya hareketsiz noktayı (Q noktası) oluşturmak için gereklidir. Önyargılamanın temel amacı, transistörün kararlı kalmasını ve çıkış sinyalinde minimum bozulmayla doğru şekilde çalışmasını sağlamaktır. Önyargının temel amacı, transistörün terminallerindeki (örneğin, Bipolar Bağlantı Transistöründeki taban, verici ve toplayıcı) DC voltajlarını ve akımlarını istenen … Devamını oku
“Transistör” terimi, “transfer” ve “direnç” kelimelerinin bir birleşimidir ve onun, direnç benzeri bir bileşen üzerinden elektrik sinyallerini veya akımı aktaran bir cihaz olarak işlevini yansıtır. Daha küçük boyutu, daha düşük güç tüketimi ve daha yüksek güvenilirliği nedeniyle birçok uygulamada vakum tüplerinin yerini alan, 20. yüzyılın ortalarında geliştirilen devrim niteliğindeki yarı iletken cihazı tanımlamak için türetilmiştir. … Devamını oku
MOSFET veya Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör, elektronikte sinyalleri değiştirmek ve yükseltmek için yaygın olarak kullanılan bir transistör türüdür. Alan etkili transistörler (FET’ler) ailesine aittir ve kapı terminali tarafından üretilen bir elektrik alanı aracılığıyla yarı iletken bir kanalın iletkenliğini kontrol ederek çalışır. MOSFET’ler yüksek akımları minimum kontrol gücüyle anahtarlayabilmeleri, yüksek anahtarlama hızları ve … Devamını oku
Bir transistörde, özellikle MOSFET’ler (Metal-Oksit-Yarı İletken Alan Etkili Transistörler) gibi alan etkili transistörlerde (FET’ler), kapı terminali, cihaz boyunca akım akışını kontrol etmede çok önemli bir rol oynar. Kapı terminali yarı iletken kanaldan ince bir oksit tabakasıyla yalıtılmıştır. Geçit terminaline voltaj uygulanması, kaynak ve boşaltma terminalleri arasındaki kanaldaki yük taşıyıcılarının (elektronlar veya delikler) akışına izin veren … Devamını oku
JFET (Kavşak Alan Etkili Transistör) ile MOSFET (Metal Oksit-Yarı İletken Alan Etkili Transistör) arasındaki temel fark, yapı ve çalışma prensiplerinde yatmaktadır. JFET’ler tipik olarak tek parça yarı iletken malzemeden yapılır ve uygulanan bir voltaj aracılığıyla bu kanalın genişliğini kontrol eden üçüncü bir terminal (geçit) ile iki terminal (kaynak ve drenaj) arasında bir kanal oluşturur. Tükenme … Devamını oku