Bir Alan Etkili Transistör (FET), akımla tahrik edilmek yerine voltajla çalıştırıldığından, Bipolar Bağlantı Transistörlerine (BJT’ler) benzer giriş özelliklerine sahip değildir. FET’lerde giriş, kaynak ve drenaj terminalleri arasındaki kanalın iletkenliğini modüle eden, kapı terminaline uygulanan voltaj tarafından oluşturulan bir elektrik alanı tarafından kontrol edilir. Giriş akımının bu eksikliği, giriş karakteristiklerinin taban akımı ve bunun taban yayıcı voltajıyla ilişkisi tarafından tanımlandığı BJT’lere kıyasla farklı davranışlara neden olur.
FET’ler yüksek giriş empedansına sahiptir çünkü kapı terminali, MOSFET’lerde ince bir oksit tabakası veya JFET’lerde ters taraflı p-n bağlantısı ile kanaldan yalıtılmıştır. Bu yalıtım, kapıya neredeyse hiç akım akmadığı anlamına gelir, bu da giriş sinyaline karşı çok yüksek dirençle sonuçlanır. Yüksek giriş empedansı, FET’leri amplifikatörlerde ve devrede önceki aşamanın yüklenmesinden kaçınmanın önemli olduğu diğer uygulamalarda kullanım için ideal kılar.
Alan Etkili Transistörün (FET) özellikleri arasında, bir devrenin önceki aşamalarındaki yükleme etkisini en aza indiren yüksek giriş empedansı ve bunların tampon görevi görmesini sağlayan düşük çıkış empedansı bulunur. FET’ler, kaynak ve drenaj arasındaki kanaldan geçen akımın, kapıya uygulanan voltaj tarafından kontrol edildiği voltaj kontrollü cihazlardır. Yükselteç görevi görebilecekleri doğrusal bir bölge ve anahtar görevi görecekleri bir doygunluk bölgesi sergilerler. FET’ler ayrıca tipik olarak düşük gürültü seviyelerine sahiptir ve BJT’lere kıyasla termal olarak daha kararlıdır.
Bir Kavşak Alan Etkili Transistörüne (JFET) giriş akımı, geçit kaynağı kavşağı ters taraflı olduğundan fiilen sıfırdır. Bu ters öngerilim durumunda, geçitten yalnızca tipik olarak nanoamper aralığında çok küçük bir kaçak akım akar. Bu ihmal edilebilir akım, giriş sinyalinden neredeyse hiç güç çekilmemesine neden olur ve bu da JFET’lerin yüksek giriş empedansına katkıda bulunur.
FET’e Alan Etkili Transistör denir çünkü çalışması elektrik alanının kontrolüne dayanmaktadır. Kapı terminaline uygulanan voltaj, kaynak ve drenaj terminalleri arasındaki yarı iletken kanalın iletkenliğini etkileyen bir elektrik alanı yaratır. Bu alan etkisi, kanaldaki akım akışını modüle ederek FET’in bir elektronik anahtar veya amplifikatör olarak işlev görmesine olanak tanır. Bu ad, FET’leri BJT’ler gibi mevcut kontrole dayanan diğer transistör türlerinden ayıran etki mekanizmasını vurgulamaktadır.