Eşleştirilmiş çift transistörler, akım kazancı (hFE), kaçak akım ve diğer parametreler gibi elektriksel özelliklerine göre dikkatlice seçilen ve birlikte eşleştirilen bir çift bipolar bağlantı transistörünü (BJT’ler) ifade eder. Eşleştirilmiş çift transistör kullanmanın temel amacı, transistörler arasında hassas eşleşmenin kritik olduğu devrelerde tutarlı ve dengeli çalışmayı sağlamaktır. Bu, devrenin performansının ve doğruluğunun yakından eşleşen transistör özelliklerine bağlı olduğu diferansiyel amplifikatörler, akım aynaları ve itme-çekme amplifikatör aşamaları gibi uygulamalarda özellikle önemlidir.
Eşleşen çift transistörler genellikle simetri ve hassasiyetin gerekli olduğu devrelerde kullanılır. Örneğin, diferansiyel yükselteçlerde eşleştirilmiş çift transistörler, iki giriş sinyali arasında dengeli çalışmanın korunmasına yardımcı olur ve bu da ortak mod reddinin ve genel performansın iyileşmesini sağlar. Akım aynalarında eşleşen transistörler, yansıtılan akımın giriş akımını minimum hatayla doğru şekilde yansıtmasını sağlar. Benzer şekilde, itme-çekme amplifikatör konfigürasyonlarında eşleştirilmiş çift transistörler, sinyal döngüsünün hem pozitif hem de negatif yarıları sırasında simetrik çalışmanın elde edilmesine yardımcı olarak doğrusallığı artırır ve distorsiyonu en aza indirir.
Tüm transistör uygulamaları eşleştirilmiş çiftlere ihtiyaç duymasa da, bazı devreler bunların kullanımından önemli ölçüde yararlanır. Transistör parametrelerindeki sapmaların performansın düşmesine veya devre dengesizliğine yol açabileceği uygulamalarda, eşleşen çift transistörler tutarlı davranış ve güvenilir çalışma sağlayarak bu sorunların azaltılmasına yardımcı olur. Eşleştirme süreci, aynı partiden transistörlerin seçilmesini veya elektriksel özelliklerinin belirtilen toleranslar dahilinde yakından eşleştiğinden emin olmak için testler yapılmasını içerir. Bu eşleştirme işlemi devre performansını iyileştirebilir, sinyal bozulmasını azaltabilir ve genel kararlılığı geliştirebilir, böylece eşleşen çift transistörleri hassas elektroniklerde ve yüksek performanslı uygulamalarda değerli bileşenler haline getirebilir.
Simetri ve hassasiyetin önemli olduğu devrelerde dengeli çalışma ve güvenilir performans sağlamak için transistörler sıklıkla eşleştirilir. Eşleştirme işlemi, akım kazancı (hFE), baz verici voltajı (VBE) ve diğer parametreler gibi benzer elektriksel özellikler sergileyen iki transistörün seçilmesini içerir. Üreticiler, tamamlayıcı transistörler (tipik olarak bir NPN ve bir PNP transistörü) kullanarak sinyalin her iki yarısının da (pozitif ve negatif) verimli ve simetrik olarak işlenmesini sağlar. Bu yaklaşım, özellikle bir transistörün sinyalin pozitif yarısını güçlendirirken diğerinin negatif yarıyı güçlendirdiği, giriş sinyalinin minimum bozulmayla doğru şekilde yeniden üretilmesini sağlayan itme-çekme amplifikatör konfigürasyonlarında yaygındır.
Tamamlayıcı transistörler, AB sınıfı amplifikatörler ve anahtarlama devreleri gibi diğer devrelerde de kullanılır; burada verimliliği optimize etmeye ve geçiş distorsiyonunu azaltmaya yardımcı olurlar. Devre tasarımcıları, davranış ve özellikler açısından tamamlayıcı olan NPN ve PNP transistörlerini kullanarak, tek tip transistör tasarımlarına kıyasla daha iyi termal kararlılık, daha yüksek doğrusallık ve gelişmiş genel performans elde edebilirler. Bu tamamlayıcı eşleştirme, ses amplifikasyonu, güç elektroniği ve sinyal işleme alanlarında çok çeşitli uygulamaları destekleyerek devrenin hem pozitif hem de negatif sinyalleri etkili bir şekilde işleyebilmesini sağlar.