Bipolar Bağlantı Transistörü (BJT), belirli koşullar altında, özellikle de iç yapısı ve bağlantı noktalarının davranışı göz önüne alındığında, iki diyot gibi çalışıyor gibi görünebilir. Bir BJT’de iki bağlantı vardır: taban-yayıcı bağlantı noktası (BE bağlantısı) ve taban-kollektör bağlantısı (BC bağlantısı). Bir BJT’yi iki diyot olarak analiz ederken:
- Baz-verici bağlantısı (BE bağlantısı) ileri yönlü bir diyot olarak görülebilir. Operasyonda, baz ile emitör (V_BE) arasına küçük bir ileri voltaj uygulandığında, elektronlar emitörden baz bölgesine enjekte edilerek ileri bir akım akışı oluşturulur. Bu davranış, bir diyotun ileri kutuplama durumundaki davranışına benzer.
- Taban-kollektör bağlantısı (BC bağlantısı) ters taraflı diyota benzetilebilir. Normal çalışmada, taban-kollektör bağlantısı ters yönlüdür, yani kolektör tabandan daha yüksek bir potansiyele sahiptir. Bu ters eğilim, normal koşullar altında önemli miktarda akım akışını önleyen bir tükenme bölgesi oluşturur. Bununla birlikte, belirli çalışma modlarında veya arıza koşullarında, BC bağlantısı ters taraflı diyota benzer özellikler sergileyebilir.
Bir BJT, iki diyotlu bir benzetme kullanılarak tanımlanabilse de, BJT’nin iki ayrı diyottan daha karmaşık bir cihaz olduğuna dikkat etmek önemlidir. Çalışması, baz, verici ve toplayıcı bölgeler arasındaki etkileşimin yanı sıra transistör tarafından sağlanan akım kazancına (β) bağlıdır. Bu kazanç, BJT’lerin nispeten küçük bir temel akım girişi ile akımı yükseltmesine ve daha büyük akımları kontrol etmesine olanak tanır, bu da onları amplifikasyon ve anahtarlama için elektronik devrelerde temel bileşenler haline getirir.
BJT de dahil olmak üzere bir transistör, iki diyotun birbirine bağlanmasıyla basit bir şekilde yapılmaz. Daha ziyade, azınlık taşıyıcı enjeksiyonu ve transistör boyunca akım akışının kontrolü ilkelerine dayalı olarak çalışan üç terminale (kollektör, taban ve verici) sahip bir yarı iletken cihazdır. Bir BJT’nin iç yapısı diyotlara benzer iki bağlantı içerirken davranışı ve işlevselliği, bu bağlantı noktaları arasındaki etkileşim ve baz terminali aracılığıyla akımın kontrolü nedeniyle belirgin şekilde farklıdır.
Bir transistörün, özellikle de BJT’nin iki diyot benzetmesi, onun iç yapısının ve çalışmasının anlaşılmasını kolaylaştırır. Baz-yayıcı bağlantı noktasını ileri taraflı bir diyot olarak ve taban-kollektör bağlantısını ters taraflı bir diyot olarak görselleştirerek, transistörün akım akışını nasıl ilettiği ve kontrol ettiği kavramsallaştırılabilir. Bu benzetme, belirli öngerilim koşulları altında bilinen diyot davranışlarıyla ilişkilendirerek, anahtarlama ve yükseltme işlevleri de dahil olmak üzere temel transistör çalışmasının anlaşılmasına yardımcı olur.
Bir BJT, taban ve toplayıcı terminallerini birbirine bağlayarak, yayıcı ve taban-kollektör bağlantısı arasında etkili bir şekilde diyot benzeri bir yapı oluşturarak bir diyot olarak kullanılabilir. Bu konfigürasyonda, baz-verici bağlantısı ileri yönlü diyot gibi davranarak akımın yayıcıdan tabana akmasına izin verir. Bu uygulama bazen bir diyot fonksiyonunun gerekli olduğu devre tasarımlarında kullanılır ve sıcaklık dengeleme devreleri veya akım aynaları gibi bir BJT’nin özelliklerinin avantajlı olduğu durumlarda kullanılır. BJT’nin ileri voltaj düşüşü ve akım işleme kapasitesi de dahil olmak üzere spesifik özellikleri, elektronik devrelerde diyot olarak kullanıldığında uygunluğunu ve performansını etkiler.
